به دلیل افزایش نیاز بشر به منابع انرژی پاک وکمبود سوخت¬های فسیلی یکی از منابع تجدید شونده انرژی در دهه آینده،انرژی خورشید است. که به کمک پدیده فوتوولتاییک می توانیم این نور را به یک خروجی قابل قبول تبدیل کنیم. تا به امروز سه نسل از سلول های خورشیدی ساخته شده اند، که با توجه به مزایا و معایب این سه نسل،ما در اینجا از نسل سوم سلول های خورشیدی،یعنی سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی استفاده کردیم. نقاط کوانتومی کریستال¬های نیمه هادی هستند که از ترکیب عناصر گروه های دوم و چهارم و یا سوم و پنجم ساخته می¬شوند. مزیت بزرگ نقطه¬های کوانتومی این است که اندازه ذرات قابل کنترل است این نقاط به علت داشتن ضریب خاموشی بالا، به ویژه برای کاربرد¬های نوری مورد استفاده قرار می¬گیرند. نقاط کوانتومی به علت داشتن خواص نوری و الکتریکی منحصر به فردی که دارند در ساخت سلول¬های خورشیدی حساس شده به نانو ذرات نیمه هادی به کار می روند. استفاده از این ساختارها موجب کاهش هزینه ساخت وافزایش بازده می شود. ویژگی های جدید نقاط کوانتومی ناشی ازاندازه کوچک آنها است و برای تهیه آنها روش های متنوعی وجود دارد، که هریک اندازه و توزیع خاصی به ذرات می دهد.به طور کلی سلول¬های خورشیدی qdsscs به دلیل برداشت نور قابل توجه، ساخت آسان و قیمت کم و در برخی موارد ایجاد چندین الکترون – حفره بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. در این پایان¬نامه برای اولین بار از آلاینده znبا غلظت¬های مختلف برای آلاییدن نقاط کوانتومیcds استفاده شد. بعد از آماده سازی سلول¬های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی cds و cdseخواص فتوولتائیک آنها اندازه¬گیری شد و مشخص شد که آلاییدن (دوپه) نقاط کوانتومی باzn منجر به افزایش قابل توجه بازدهی نسبت به حالت بدون آلاییدن می¬شود. این نتایج نشان می¬دهد که آلاییدن نانو ذرات می¬تواند به عنوان راهکاری موثر جهت افزایش بازدهی سلول¬های خورشیدی مطرح باشد.بر اساس نتایج مشخص شد که روی با غلظت 25 میلی¬مولار بیشترین بازدهی (82/2 درصد) را ایجاد می¬کند.