در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یکی از راه¬های کنترل حالت¬های اسپینی، به کار بردن یک میدان مغناطیسی برای حذف تبهگنی کرامرز است که در نتیجه آن امکان دستکاری حالت¬های اسپینی از طریق جفت¬شدگی اسپین– مدار راشبا و درسل¬هاوس، که به دلیل عدم تقارن انعکاسی فضایی به وجود آمده است، فراهم می¬شود. در سیستم¬های کوانتومی محدود عوامل خارجی همچون میدان¬های الکتریکی، مغناطیسی، فشار، دما و غیره نقش اساسی در تعیین ویژگی¬های فیزیکی نانوساختارها بازی می¬کنند. در این رساله به بررسی اثر فشار و دما بر روی حرکت لرزشی الکترون در نقاط کوانتومی نیم¬رسانا تحت تأثیر جفت¬شدگی اسپین– مدار راشبا و درسل¬هاوس می¬پردازیم و دینامیک مقدار چشم¬داشتی موقعیت الکترون را بر حسب زمان محاسبه می¬کنیم. در این راستا دو سیستم متفاوت که یکی از آن¬ها نقطه¬ی کوانتومی با محدودیت سهموی و تحت تأثیر دما، فشار و میدان مغناطیسی و دیگری یک گاز الکترونی دو بعدی تحت تأثیر دما، فشار و اثر توأم راشبا و درسل¬هاوس می¬باشد بررسی شده¬اند. نتایج نشان می¬دهد که در نوسانات الکترون یک زنش وجود دارد و فرکانس و دامنه این نوسانات لرزشی به شدت به دما و فشار وابسته می¬باشد.