نام پژوهشگر: مهدی گلی مقدم
مهدی گلی مقدم مرتضی ایزدی فرد
هدف از پایان نامه، رشد و مطالعه ی نانوسیم های کبالت می باشد. از میان روش های متعدد رشد، روش الکتروانباشت به دلیل سهولت در رشد، ارزانی و فراگیر بودن آن بیش از سایر روش های موجود مورد توجه قرار گرفته است. برای انباشت و کنترل راستای رشد نانوسیم ها، ابتدا قالب های متخلخل اکسید آلومینیوم با چگالی حفره های بسیار بالا ساخته شدند. جهت ساخت قالب های متخلخل، از روش آنودایز چند مرحله ای قالب آلومینا به کمک محلول های اسیدی استفاده شد. عوامل متعددی در ساخت قالب متخلخل دخیل هستند که با بهینه سازی آنها توانستیم چگالی حفره ها را افزایش و قطر آنها را کاهش دهیم. برای انباشت نانوسیم ها از روش انباشت الکتروشیمیایی گالوانواستاتیک حفره ها استفاده نمودیم. برای مطالعه ی ساختار و مورفولوژی قالب ها و نانوسیم ها از پراش پرتو x (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem) استفاده گردید. نتایج این مطالعات نشان داد که نانوحفره ها در قالب دارای شکل و چگالی یکنواخت می باشد و دارای قطری در حدود 43 نانومتر می باشند. مطالعه نمونه های انباشت شده نشان دادند که نانوسیم های کبالت در راستای عمود بر سطح زیرلایه رشد نموده اند. نتایج مطالعه ساختاری نشان داد که راستای ترجیحی رشد نانو سیم ها در جهت (002) با ساختار بلوری هگزاگونال می باشند. مطالعه ی خواص مغناطیسی نانوسیم ها بوسیله مغناطیس سنج نمونه ارتعاشی انجام شد. مطالعات خواص مغناطیسی نانوسیم ها نشان داد که مغناطش اشباع و باقیمانده زمانی که میدان مغناطیسی اعمالی عمود با نانوسیم ها می باشد، در مقایسه با حالت موازی بر نانوسیم ها بزرگتر است.