در این رساله خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک کربن مس مورد بررسی قرار گرفته است. لایه های نازک کربن مس بر روی زیر لایه شیشه تهیه شدند. این لایه ها به دو روش کندوپاش مغناطیسی rf و dc در زمانهای مختلف در دمای اتاق لایه نشانی شدند. سپس با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی afm))، edx، میکروسکوپ روبشی (sem)، طیف پراش اشعه ایکس(xrd)، طیف سنج ft-ir و جذب نوری uv_vis مورد مطالعه و بررسی قرار گرفتند. نمونه ی با بالاترین زمان لایه نشانی را مورد بازپخت قرار دادیم. به منظور بررسی خواص الکتریکی از دستگاه چهارمیله ای (four probe) استفاده شده است. همچنین تغییرات رسانندگی در دماهای پخت متفاوت مطالعه شده است یا به عبارت دیگر با بدست آوردن شیب نمودار ولتاژ جریان رفتار نمونه مورد بررسی قرار گرفته است.