در این رساله، به بررسی رابطه بازتاب در بلور فوتونیکی پلاسمایی یک بعدی می پردازیم. بلور فوتونیکی پلاسمایی یک بعدی با ساختار چهار لایه (پلاسما1)- (mgf2) –(پلاسما2)-( شیشه) در یک سلول واحد در نظر گرفته شده است. رابطه بازتاب را با استفاده از روش ماتریس انتقال به دست آورده و اثرات پارامترهای مختلف مانند: تعداد سلول های واحد، دو فرکانس نرمالیزه پلاسما، زاویه فرودی، میدان مغناطیسی خارجی بررسی می کنیم. نوارهای گاف فوتونیکی در تمام حالت ها قابل مشاهده است. با تغییر دو فرکانس نرمالیزه ی پلاسما، زاویه فرودی و میدان مغناطیسی خارجی مشاهده می کنیم که مکان و پهنای نوار گاف فوتونیکی تغییر می کند. هم چنین با تغییر میدان مغناطیسی خارجی فارادی تعداد نوارهای گاف فوتونی تغییر می کند.