چکیده در این تحقیق به کمپلکس بیس (سالیسیلیدن آنیلین) روی(ii) [zn(saa)2]، که یکی از کمپلکس های بازهای شیف می باشد توجه شده است. این کمپلکس کاربرد بسیار عمده ای در دیودهای نور افشان آلی (oleds) دارد. ساختار مولکولی و فرکانس های ارتعاشی کمپلکس [zn(saa)2] به وسیله‎ی نظریه ی تابعی چگالی و در سطح نظری b3lyp و مجموعه های پایه ی lanl2dz، 6-31g** و 6-311g** محاسبه شد و ساختار هندسی بهینه شده با داده های x-ray مورد مقایسه قرار گرفت. نتایج نشان داد پارامترهای هندسی بهینه شده در سطح b3lyp/6-311g** به خوبی توصیف می شوند. فرکانس های ارتعاشی محاسبه شده نیز با مقادیر تجربی آن ها مقایسه شد که این مقایسه، تفاوت کمی بین مقادیر تجربی و مقادیر نظری را نشان داد. سپس اثر جانشینی گروه های مختلف در موقعیت پارای حلقه ی آنیلین بر روی خواص ساختاری و فرکانس های ارتعاشی اتصالات لیگاند به فلز مورد مطالعه قرار گرفت. این گروه‎های جایگزین شده شامل گروه های الکترون دهنده و الکترون کشنده از قبیل n(ch3)2، och3، ch3، cn و no2 هستند. تحقیقات نشان داد که تفاوت الکترونگاتیوی گروه های جانشین شده می تواند خواص اسپکتروسکوپی و خواص ساختاری وابسته به کمپلکس را تحت تاثیر قرار دهد. مطابق با توانایی دهندگی گروه های جایگزین شده که به صورتn(ch3)2> och3> ch3> h> cn> no2 است، سطوح انرژی homo و lumo، فرکانس های ارتعاشی پیوند zn-n و نیز جا به جایی قرمز در طیف uv-vis افزایش یافته است. متناسب با این تغییرات ایجاد شده در کمپلکس [zn(saa)2] با قرار گیری استخلاف ها، میزان کارایی هریک از کمپلکس های تشکیل شده در oledها متفاوت شد. کلمات کلیدی: نظریه ی تابعی چگالیdft))، کمپلکس سالیسیلیدن آنیلین روی [zn(saa)2]، خواص ساختاری، فرکانس های ارتعاشی، سطوح انرژی homo و lumo، طیف .uv-vis