نام پژوهشگر: محمد حسین آراد

ریخت شناسی pani/bralpc در ابعاد نانو و به کارگیری آن به عنوان سنسور گازی
پایان نامه دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علوم پایه 1391
  محمد حسین آراد   محمد اسماعیل عظیم عراقی

کامپوزیت pan/bralpc با درصدهای مختلفی از ترکیب مواد به شرح زیر ساخته شد : (pan(90%) bralpc(10%) , pan(80%) bralpc(20%), pan(70%) bralpc(30% سپس توسط دستگاه لایه نشانی الکترون بیم گان و با الکترود آلومینیوم، ساختار ساندویچی به شرح زیر در خلأ لایه نشانی شد : al / pan(%) bralpc(%) / al خواص الکتریکی dc در محدوده ی دمایی 300 تا 370 کلوین و ولتاژ 0.5v تا 7v بررسی شد. طی این بررسی ها مشاهده شد که با افزایش دما و ولتاژ ، جریان نیز افزایش می یابد و همچنین رشد جریان از ولتاژ 2v به بعد بیشتر شده و رسانندگی ماده وارد مرحله ی جدیدی شده است. البته رشد جریان در نمونه های کامپوزیت مختلف متفاوت بود و به شرح زیر افزایش را شاهد بودیم: (pan(90%)bralpc(10%) < pan(80%) bralpc(20%) < pan(70%)bralpc(30% همچنین در طی این بررسی ها انرژی فعال سازی برای نمونه های مختلف محاسبه شد و مشاهده شد که انرژی فعال سازی نمونه ها بدین شرح است: pan(90%)bralpc(10%) 2.18 ev pan(80%)bralpc(20%) 1.84 ev pan(70%)bralpc(30%) 1.74 ev که مشاهده شد با افزایش ماده ی فعال دوم به پلی آنیلین انرژی فعال سازی کاهش و به موازات آن رسانندگی افزایش می یابد. در بررسی ریز ساختاری سطح نمونه ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی مشخصه یابی شده است. که در آن از سطح لایه و سطح مقطح عرضی لایه تصویر برداری شده است. خواص اپتیکی ساختار مانند جذب عبور و بازتاب اندازه گیری شد . همچنین با استفاده از ضریب جذب باند گپ اپتیکی مورد محاسبه قرار گرفت. با اعمال گاز co2 به درون محفظه ، حساسیت ماده مورد نظر ( در اینجا نمونه ی (pan(90%)bralpc(10% ) نسبت به گاز اعمالی مورد بررسی قرار گرفت و مشخص شد که دمای ماکزیممی که در در آن حسگری در بالاترین سطح خود قرار دارد 330k می باشد.