نام پژوهشگر: داود رئوفی

مشخصه یابی لایه های نانومتری اکسید ایندیوم قلع به روش بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr)
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1392
  مجتبی روستایی   داود رئوفی

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش پذیر بر روی زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شده اند. لایه های نمونه با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابت nm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) با زاویه نور خراشان، برای مشخصه یابی لایه های نازک ito استفاده شد. آنالیز داده ها با استفاده از نرم افزارهای matlab و genx و xpowder انجام شد.سپس ضخامت، چگالی الکترونی متوسط و ناهمواری سطح لایه های نازک را به دست آوردیم. همچنین طیف پراش پرتو ایکس (xrd) از لایه ها انجام گرفت و ساختار بلوری لایه ها نیز مورد بررسی قرار گرفت.

تهیه و مشخصه نگاری نانو اکسید نقره تهیه شده به وسیله روش شیمیایی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1392
  رویا سلگی   مهدی حاج ولیئی

دی اکسید تیتانیوم (tio2) نیمه رسانایی است که به علت داشتن خواص فیزیکی جالب، مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. جفت الکترون – حفره ی تولید شده در دی اکسید تیتانیوم عامل اصلی فعالیت فوتوکاتالیستی این نیمه رسانا محسوب می شود. افزایش طول عمر جفت الکترون– حفره ، بازدهی فوتوکاتالیستی آن را بالا می برد. یکی از راهکارهای موثر برای این عمل، اضافه کردن نانو ذرات فلزی مانند au ، ag ، pd و pt می باشد. در این پایان نامه، نانوفوتوکاتالیست دی اکسید تیتانیوم از طریق روش سل-ژل ، به وسیله نانوذرات اکسید نقره پوشش داده شد و نمونه های پودری ag2o-tio2 بدست آمد. خواص اپتیکی آن توسط طیف سنجی ماورای بنفش – مرئی(uv-vis) بررسی شد و ساختار آن توسط آنالیزهای پراش اشعه ایکس (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و میکروسکوپ الکترون عبوری(tem) مورد مطالعه قرار گرفت.

مطالعه خواص اپتیکی لایه های نازک به روش بیضی سنجی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1393
  حسن شمس   داود رئوفی

در این تحقیق، لایه¬های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش¬پذیر بر روی زیرلایه¬های شیشه¬ای لایه¬نشانی شده¬اند. لایه¬های نمونه با ضخامت¬های اسمی 100، 150 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابتnm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیر لایه¬ها در خلال لایه¬نشانی در دمای اتاق نگه داشته شد. با استفاده از روش بیضی¬سنجی ثابت¬های اپتیکی، ضریب شکست(n)، ضریب خاموشی (k) در گستره طول موج 370 تا 1050 نانومتر اندازه¬گیری شدند. درصد عبور و بازتاب بر حسب طول موج با استفاده از طیف¬سنج مرئی فرابنفش (uv-vis) انداز¬¬ه-گیری شدند. با استفاده از روش کرامرز-کرونیگ ثابت¬های اپتیکی اندازه¬گیری شد و با نتایج حاصل از بیضی¬سنجی مقایسه شدند.