در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با سنتز هیبریدی از اکسید سیلیکون و پلیمر ونیل پیرولیدن و بررسی ویژگی های نانو ساختاری و الکتریکی آن با تکنیک میکروسکوپ نیروی اتمی، الکترون پیمایشی و gps132a دریافتیم که نمونه با مقدارpva بدلیل برخورداری از ثابت دی الکتریک و کیفیت ساختاری بهتر و اتلاف انرژی کم تر می تواند گزینه ی مناسبی در تولیدات آلی ترانزیستور اثر میدانی باشد. و باتصاویر semوafm به بهترین ماده از نمونه های مورد بررسی از طریق غلظت دست پیدا کنیم.