نانو لوله های کربن لوله هایی در مقیاس نانو هستند که از یک ورقه گرافن لوله شده هم چون استوانه ای بدون درز ساخته شده اند. این مواد بخاطر قطر کوچک ((nm و طول بلند (mµ) و پیو ندهای قوی c-c دارای خواص فیزیکی منحصربه فردی هستند. یکی از این خصوصیات رسانش الکتریکی این مواد است. در این پروژه رسانایی الکتریکی نانو لوله های کربنی چند لایه بوسیله روش اتصال شکسته ی کنترل شده بررسی شد. با استفاده از نرم افزار های لب ویو و اوریجن داده های لازم جمع آوری و تحلیل شدند. هیستوگرام رسانندگی نانو لوله های کربنی چند لایه بوسیله داده های جمع آوری شده در محیط های مختلف از جمله در محیط آزمایشگاهی، فشار پایین، گاز آرگون و گاز نیتروژن ساخته شد. هیستوگرام های رسانندگی پیک هایی نزدیک به مقادیر صحیح کوانتوم رسانندگی ( g_0=(2e^2)/h ) را نشان می دهند. بنابراین رسانش الکتریکی در نانو لوله های کربنی چند لایه کوانتیزه و بالستیک است.

دراین پژوهش ابتدا قالب های اکسید آلومینای آندی به روش آندایز دو مرحله ای ساخته می شوند. با این روش قالب هایی با حفره های استوانه ای با اسید اکسالیک ایجاد می شود. سپس با استفاده از این قالب ها، آرایه ای از نانوسیم های آهن-مس به روش الکتروانباشت متناوب ساخته و در ابتدا اثر اضافه کردن مس بررسی می شود. سپس نمونه ها ‏در دماهای مختلف تابکاری شده و پس از تابکاری نمونه ی 7/5 درصد مولی مس در الکترولیت به عنوان نمونه ی بهینه در نظر گرفته می شود. پس از آن اثر بسامد و ولتاژ نامتقارن الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی نمونه ی بهینه بررسی می شود.میدان وادارندگی نمونه ی بهینه از ‎575‎ اورستد به ‎1344‎ اورستد و نسبت مربعی آن از 0/64 به 0/77 بعد از تابکاری بهبود پیدا می کند. با افزایش ولتاژ اکسایشی درصد مس در نانوسیم نمونه ی بهینه افزایش پیدا کرده است. همچنین بیشترین وادارندگی در نمونه ی بهینه ی انباشت شده با ولتاژ کاهشی ‎13‎ ولت و ولتاژ اکسایشی ‎19‎ ولت به دست آمده است.

در این پایان نامه ابتدا با روش آندایز دومرحله ای، قالب آلومینای آندی ساخته شدند. سپس نانوسیم های آلیاژ کبالت– پلاتین درون حفره های قالب به روش الکتروانباشت جریان متناوب انباشت شده و با استفاده از میکروسکوپ الکترونی، میکروسکوپ نوری، میکروسکوپ پروب روبشی، طیف سنج اشعه ایکس، طیف سنج پراکندگی انرژی اشعه ایکس و مغناطومتر مورد بررسی قرار گرفته اند. اثر ولتاژ الکتروانباشت جریان متناوب روی خواص مغناطیسی نانوسیم ها مورد بررسی قرار گرفت و ولتاژ قله تا قله 20 ولت، بهینه ولتاژ انباشت جریان متناوب برای نانوسیم های کبالت-پلاتین به دست آمد. در ولتاژ بهینه ی بدست آمده؛ اثر نسبت غلظت کبالت به پلاتین محلول انباشت بر خواص مغناطیسی نانوسیم های انباشت شده مورد بررسی قرار گرفت. نتایج مربوط به اندازه گیری های حلقه پسماند نشان داده است که تغییر غلظت محلول انباشت، جهت محور آسان مغناطش را تغییر نمی دهد، اما با افزایش میزان کبالت محلول مقادیر وادارندگی، نسبت مربعی بودن و مغناطش اشباع افزایش می یابد. در انتها اثر عملیات حرارتی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها مورد بررسی قرار گرفت و تغییر فازی حین عملیات حرارتی مشاهده نشد.