با کوچک شدن اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) مشکلاتی نظیر افزایش جریان نشتی، تونلی و نفوذ اتم های بور از گیت دی الکتریک بازدهی آن ها را کاهش داده است. حل این مشکلات نیازمند نانوترانزیستورهایی با گیت دی الکتریک با ثابت دی الکتریک (k) بالا به جای گیت دی-الکتریک امروزی، اکسید سیلیکون (2sio) می باشد. در این پژوهش، با سنتز و بررسی ویژگی های الکتریکی و نانوساختاری نانوکامپوزیت های اکسید لانتانیم تزریق شده با نانوذرات آلومینیم و قلع به روش سل- ژل و مطالعه ی آن ها به کمک تکنیک های الگوی پراش پرتو ایکس (xrd)، بررسی پایداری گرمایی (tga)، طیف سنجی تبدیل فوریه ی مادون قرمز (ftir)، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، انرژی پاشندگی پرتو ایکس (edx) و x-map تلاش کردیم تا نمونه ی مطلوب را پیدا کنیم. در این مطالعه، نمونه ی 3o2al/sn/la بازپخت داده شده در دمای c°200 با ساختاری آمورف و هم چنین سطح یکنواخت تر نسبت به بقیه ی نمونه ها می باشد، می-تواند به جای 2sio در تولیدات ترانزیستورهای آتی به کار رود