بیش از سه دهه است که پژوهشگران سعی می کنند قطعات الکترونیکی با اندازه کوچکتر و کارایی هرچه بیشتر تولید کنند. در 20 سال اخیر کوشش های زیادی برای درک خواص رسانش الکترونی پلیمرهای همیوغ-? بعمل آمده است. این سیستم های نیمه رسانا نقش مهمی در طراحی سیستم های مولکولی برای کاربردهای الکترونیکی دارند. سیم های مولکولی واحدهای ساختاری بنیادی در طراحی قطعات الکترونیکی مولکولی هستند. یک سیم مولکولی شامل یک مولکول پلیمری است که از طرفین به یک جفت سیم فلزی متصل شده باشد(کتابی و همکاران،1382). پلی انیلین یکی ازپلیمرهای رسانایی است که در سالهای اخیر بطور گسترده مورد مطالعه قرار گرفته است (trchova et al., 2006) .کاربردهای متعددی برای پلی انیلین کشف شده است و بدلیل ارزان و پایدار بودن و ساخت راحت آن به یکی از پلیمرهای رسانای مورد توجه تبدیل شده است (cattena et al., 2010). توجه چشمگیر به پلی انیلین از این واقعیت سرچشمه می گیرد که افزایش چشمگیری در رسانندگی آن دیده می شود (galvao et al., 1989). از کاربردهای متنوع آن می¬توان به استفاده در سنسورها، باتری ها و پوشش های ضد آب اشاره کرد (huang., 2006). پلی انیلین در سه حالت اکسیداسیون یافت می شود که عبارتند از: حالت ذاتا اکسید شده، امرالدین، حالت کاملا تقلیل شده، لوکوامرالدین و حالت کاملا اکسید شده، پرنیگرانیلین (seung-beom et al., 2013). همچنین از کاربردهای پلی¬انیلین در پایه لوکوامرالدین می توان به استفاده در باطری های قابل شارژ دستگاه های ذخیره سازی نوری اطلاعات،محافظ های تداخل امواج الکترو مغناطیسی و سنسورها اشاره کرد (macdiarmid et al., 1987,maccal et al., 1991,trivedi et al., 1993, bai et al., 2007). در این پژوهش، با استفاده از روش تنگ بست و فرمول¬بندی لانداور به محاسبه چگالی حالت های الکترونی و رسانندگی الکترونی به روش عددی خواهیم پرداخت.