چکیده: این پایان¬نامه، تقویت کننده توان کلاس e کاملاً یکپارچه، دارای توان خروجی کم و با بازدهی بالا در فرکانس 2.4 ghz و تکنولوژی tsmc 0.18-μm cmos را پیشنهاد می¬دهد که مناسب فرستنده¬های کم¬توان مانند شبکه حسگر بی¬سیم است. در طراحی این تقویت کننده توان، خازن پد و سلف باندینگ-وایر گره خروجی را، به عنوان قسمتی از شبکه خروجی در نظر گرفته¬ایم که در برقراری شرط zvs و تطبیق امپدانس مقاومت 50 اهم آنتن به مقاومت خروجی تقویت کننده توان، دخیل هستند. همچنین روش جدیدی برای بهبود سوئیچینگ ترانزیستور پیشنهاد شده است که به افزایش بازدهی کمک می-کند. با اعمال این تکنیک به ترانزیستور اصلی مدار، بازدهی کل مدار از 2.25 % تا 3.07 % افزایش می-یابد. این تقویت کننده توان، دارای محدوده توان خروجی از 2.69 dbm تا 7.21 dbm با ولتاژ اعمالی500 mv تا 850 mv و بازدهی توان کل 57.27 % تا 60.66 % است. علاوه بر این، در این تقویت کننده توان به نسبت دیگر تقویت کننده¬های توان (برای کاربردهای با توان خروجی پایین)، از سلف کمتری استفاده شده است که باعث کوچکتر شدن سایز تراشه می¬شود. لازم به ذکر است که این تقویت کننده توان، پربازده¬ترین تقویت کننده توانی است که تا به حال برای کاربردهای با توان خروجی پایین گزارش شده است.