گرافین یک نیمه رسانا با گاف انرژی صفر است. با وجود اینکه خاصیت ابررسانایی ذاتاً در گرافین وجود ندارد اما می¬توان این خاصیت را با استفاده از اثر مجاورت در آن القا کرد. طبق نتایج بیناکر در رسانندگی اتصالات با پایه گرافین در کنار پدیده¬ی انعکاس معمول آندریف، انعکاس آینه ای آندریف هم اتفاق می¬افتد که باعث تغییرات قابل توجهی در نمودارهای رسانندگی می¬شود. نوع جفت شدگی که توسط ابررسانای بکار رفته در اثر مجاورت القا می¬شود تأثیر بسزایی در نمودارهای رسانندگی دارد.در این پایان¬نامه رسانندگی ناشی از فرآیند آندریف مجازی در اتصال پایه گرافین تحت کشش که پارامتر نظم زوج تحت اثر مجاورت با ابررسانای غیرمعمول نوع d القا می¬شود، مورد مطالعه قرار می¬گیرد. نوع ناپایدار انعکاس مجازی در زوایای بیشتر از زاویه بحرانی شبه ذرات فرودی به فصل مشترک اتفاق می¬افتد، که این زاویه در اتصالات پایه گرافین تحت کشش تابعی ازپارامتر کشش می¬باشد. رسانندگی در رژیم مجازی نسبت به گاف ابررسانایی نامتقارن نوع d وابستگی نشان می¬دهد. سعی می¬شود دینامیک مسئله را در ناحیه ابررسانا تا جای ممکن تغییر داد تا نتایج جدیدتری بدست آورد. نتایج این تحقیقات پایه¬ای برای طراحی ساختارهای آزمایشگاهی می¬باشد تا بتوان بهترین بهره جریان در سیستم نانوالکترونیکی از این ساختارها را گرفت.