در این تحقیق جذب گازهای سمی سیانوژن کلرید و فسژن بر روی نانولوله خالص و دوپه شده با اتم ژرمانیم سیلیکون کرباید تک دیواره زیگزاگ (8،0) انجام شده است. با استفاده از محاسبات نظریه تابعیت چگالی (dft)، برهم کنش این مولکول ها بر سطح نانولوله از نظر انرژی الکترونی جذب، شکاف انرژی و کمیت های الکترونی مانند پتانسیل شیمیایی، سختی شیمیایی و شاخص الکترون دوستی بررسی شده است. نتایج محاسبات نشان داده است در مقایسه با جذب فیزیکی ضعیف روی نانولوله خالص سیلیکون کرباید، هر دو مولکول سیانوژن کلرید و فسژن تمایل به جذب قوی تری بر روی نانولوله sic دوپه شده با ge با انرژی جذب محسوسی دارند. انرژی جذب برای مناسب ترین پیکربندی سیانوژن کلرید بر روی نانولوله sic خالص و دوپه شده با ge به ترتیب kj/( mol) 46/4- و kj/( mol) 8/74- می باشد و برای مناسب ترین پیکربندی فسژن بر روی نانولوله خالص sic و دوپه شده با ge به ترتیب kj/( mol) 49/15- و kj/( mol) 02/84- می باشد. این نتایج نشان می دهند که دوپه کردن نانولوله sic با ge راهکار خوبی برای بهبود جذب نانولوله سیلیکون کرباید تک دیواره زیگزاگ (8،0) نسبت به سیانوژن کلرید و فسژن می باشد