در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزیت هیبریدی آلی- غیرآلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی هم چون جریان نشتی کم و ثابت دی الکتریک بالا کاندیداهای امیدوارکننده ای برای گیت دی-الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی آلی هستند. در کار حاضر، نانوکامپوزیت هیبریدی پلیمر آنتراسن/ اکسید آلومینیم (an/al2o3) با استفاده از روش سل- ژل سنتز شده است و ویژگی های نانو ساختاری نانوکامپوزیت مزبور با استفاده از تکنیک های آنالیز وزنی گرمایی (tga)، دیفرانسیل گرماسنجی روبشی (dsc)، پراش پرتو x (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)، پاشندگی پرتو x (edx)، x-map و تبدیل فوریه مادون قرمز (ftir) مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج به-دست آمده نشان می دهند که گیت دی الکتریک نانوکامپوزیت هیبریدی an/al2o3 با داشتن ثابت دی الکتریک و فاکتور کیفیت بالا، و زبری سطح کم می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب برای ترانزیستورهای اثرمیدانی آلی معرفی شود.