مزیت ها و برتری های ابررسانای mgb2 نسبت به دیگر ابررساناها باعث تحقیقات گسترده ای جهت شناخت خواص این ترکیب وبهبود پارامترهای ابررسانایی آن گردید. یکی از مشکلات این ترکیب کاهش شدید جریان بحرانی در میدان های مغناطیسی بالا به خاطر کمبود مراکز میخکوبی می باشد. این مشکل با وارد کردن نانوذرات و افزایش نیروی میخکوبی بهبود می یابد. نتایج به دست آمده نشان می دهند که کربن و ترکیبات کربن دار مناسب ترین مواد برای آلایش mgb2 می باشند. در این پایان نامه از سوکسنیک اسید به عنوان منبع کربن استفاده شده است. برای بررسی اثر آلایش سوکسنیک اسید بر خواص ابررسانایی mgb2 چهار نمونه آلاییده به 10% و 30% وزنی سوکسنیک اسید با استفاده از تولوئن (نمونه های تر) و بدون تولوئن (نمونه های خشک) ساخته شد. نتایج به دست آمده نشان می دهند که افزودن سوکسنیک اسید باعث افزایش میخکوبی شار مغناطیسی و لذا افزایش چگالی جریان بحرانی، میدان بحرانی بالایی و میدان برگشت ناپذیری می شود. جهت تعیین سازوکار میخکوبی چندین مدل میخکوبی مورد مطالعه قرار گرفت. هر چهار نمونه سازوکار میخکوبی یکسان دارند. مدل دوهوگس به خوبی بر داده های تجربی برازش شد ولی با توجه به وجود همزمان سازوکارهای میخکوبی مختلف نمی توان با استفاده از آن نوع سازوکار میخکوبی را تعیین کرد. سازوکارهای میخکوبی c?? و ?l دو سازوکار اساسی در میخکوبی شار مغناطیسی هستند. نتایج نشان داد که هر دو سازوکار میخکوبیc?? و ?l همزمان در mgb2 آلاییده به سوکسنیک اسید وجود دارند. سهم سازوکارهای میخکوبی c?? و ?l تعیین گردید. نتایج به دست آمده نشان داد که میخکوبی c?? در تمام دماها سازوکار غالب می باشد.

نتیجه گیری در این پروژه، در زمینه ی نظری، خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی cosb3و mco4sb12 (m=la, tl, y) مطالعه شده است. قرار دادن اتم های y ، la و tl در تهیجاهای شبکه ای آنتیموان کبالت باعث گسترش شبکه بلوری این ترکیب می شود. که افزایش پارامترهای شبکه، خواص الکترونیکی را به شدت تغییر می دهد. رفتار پیوندها در این ترکیب مربوط به دو نوع پیوند متفاوت در آن است، که یکی مربوط به پیوند قوی بین اوربیتال d کبالت و اوربیتال p آنتیموان و دیگری مربوط به پیوند ضعیف بین اوربیتال های p اتم های آنتیموان است. با توجه به مدول حجمی این ترکیبات، ساختار مربوط به laco4sb12 ناپایدارتر از ترکیبات دیگر است. ساختار نواری محاسبه شده نشان می دهد که ته نوار رسانش آنتیموان کبالت از اوربیتال های sb-5p به شدت پاشنده و بالای نوار ظرفیت از اوربیتال های co-3d تشکیل شده است. گاف نواری آنتیموان کبالت کوچک (ev 0.036) و به شدت به جایگاه های اتمی sb وابسته است. گاف نواری mco4sb12، در مقایسه با آنتیموان کبالت افزایش می یابد. ثابت دی الکتریک محاسبه شده در فرکانس پایین برای آنتیموان کبالت 33/34 محاسبه شده است. اولین بیشینه منحنی قسمت موهومی تابع دی الکتریک در انرژی ev e0= 0.04 قرار دارد که مربوط به گذارهای بین نواری از نوار ظرفیت به نوار رسانش در نقطه ? است. انرژی پلاسمون بدست آمده آنتیموان کبالت ev 17.68 می باشد. ضریب شکست آنتیموان کبالت در انرژی ev 1.18، برابر 7 است. خواص ترموالکتریکی cosb3و mco4sb12 را در دمای k 700 بدست آورده ایم. در پتانسیل های مثبت هدایت الکتریکی و فاکتور توان tlco4sb12 نسبت به بقیه ترکیبات بیشتر است.

در این پروژه خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی ترکیبات bi2te3, bi2se3, bi2tese2, bisete2 با استفاده از محاسبات اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی مطالعه شده است. این بررسی-ها با استفاده از محاسبه ی انرژی کل از طریق روش امواج تخت تقویت شده خطی (lapw-fp) که بر پایه ی نظریه تابعی چگالی dft هوهنبرگ-کوهن شم استوار است، به کمک کد wien2k صورت گرفته است. در ارتباط با پتانسیل همبستگی-تبادلی از تقریب گرادیان تعمیم یافته gga و +sogga استفاده نموده-ایم. نتایج بدست آمده نشان می دهد که گاف نواری bi2te3 با اعمال تقریب اسپین-مدار 0.12 الکترون ولت و بدون اعمال این تقریب 0.28 الکترون ولت است که اولین مقدار با نتایج تجربی سازگارتر می-باشد، همچنین با جانشانی اتم se با اتم te در بیسموت تلراید گاف نواری افزایش می یابد. در رابطه با نتایج اپتیکی بدست آمده ضریب شکست 3te2ib در هر دو راستای x و z از دیگر ترکیبات بیشتر است. انرژی پلاسمون برای بیسموت تلراید 17.5 الکترون ولت است. نتایج ترموالکتریکی نشان می دهد که فاکتور توان بدست آمده برای bi2sete2 در پتانسیل های مثبت بزرگتر از دیگر ترکیب ها است.

هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونی و اپتیکی in(io3)3، در فاز هگزاگونال، در حالت خالص و آلائیده با ناخالصی گالیوم (ga) و آلومینیم (al)، می­باشد. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده­ی خطی (fp-lapw) و تقریب تعمیم یافته (gga) استفاده گردیده است. نتایج به دست آمده از ساختار نواری نشان می­دهد که in(io3)3، یک نیمه­رسانا با گاف نواری غیر مستقیم در راستای m به g، به اندازه ev6/3 است. سهم عمده در چگالی حالت­ها در پایین نوار رسانش و بالای نوار ظرفیت، ناشی از همپوشانی اربیتال 2p اتم اکسیژن و اربیتال 4p اتم ید، می­باشد. با توجه به نمودارهای مربوط به چگالی ابر الکترونی in(io3)3، نتیجه می­شود که تمامی پیوندهای این ترکیب کوالانسی است. در قسمت نتایج اپتیکی، نوسانات پلاسمونی، در انرژی­های بالا در راستای x، ev6/25 و در راستای z، ev4/25 محاسبه شد. همچنین ضریب شکست استاتیک برای in(io3)3 خالص، در راستای x، 47/2 و در راستای z، 01/2 به دست آمده است. محاسبات مشابهی با جانشینی اتم آلومینیم و گالیوم، و با ناخالصی آلومینیم و گالیوم در in(io3)3، انجام شد. نتایج بیانگر این امر است که افزودن ناخالصی al و ga، سبب کاهش گاف نواری در حالت آلائیده می­شود.

بلورkh2po4 دارای سه فاز شاخص تتراگونال (پاراالکتریک) در دمای اتاق، اورتورومبیک (فروالکتریک) تحت دمای بالا (که دمای گذار این بلور از پارالکتریک به فروالکتریک k 123 گزارش شده است) وهمچنین فاز منوکلینیک تحت دمای بسیار بالا است. (دمای گذار از تتراگونال به مونوکلینیک در حدود k 453 گزارش شده است) با توجه به اهمیت این بلور به خاطر داشتن خواص اپتیک غیرخطی خوبش، آن را از دو دیدگاه خواص الکترونی و اپتیکی مورد بررسی قرار داده و در بعضی موارد نتایج حاصله را با نتایج سایر محققین مورد مقایسه قرار دادیم. خواص الکترونی بلور kh2po4 شامل ساختار نواری، چگالی کل حالت ها، چگالی ابر الکترونی؛ و خواص اپتیکی شامل تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، قاعده جمع قدرت نوسانگر، ضریب بازتاب، ضریب شکست، پاشندگی، ضریب جذب، هدایت اپتیکی، شدت انتقال بین نواری و ضریب خاموشی در دو فاز تتراگونال و اورتورومبیک مورد محاسبه و تحلیل قرار گرفته است. انرژی گاف غیر مستقیم در فاز تتراگونال ev 4/35 و در فاز اورتورومبیک ev2/83 محاسبه شده است. ساختار نواری محاسبه شده سازگاری خوبی با نتایج نظری دارد. در طیف چگالی حالت ها در هر دو فاز، بیشینه نوار ظرفیت با اربیتال های o-2p و کمینه نوار رسانش با اربیتال های p اتم های k،p ،o مشخص شده است. با توجه به نمودارهای مربوط به چگالی ابر الکترونی در می یابیم پیوندهای قوی کووالانس بین چهارگوش های po4 برقرار است که شبکه های po4 بوسیله زنجیره ای از بندهای o-h-o به هم متّصل شده اند، همچنین پیوندهای یونی میان گروهk و po4 وجود دارد. نتایج بدست آمده توافق خوبی با نتایج تجربی دارند. با استفاده از طیف اتلاف انرژی الکترون، انرژی پلاسمون بلور kh2po4 در فاز اورتورومبیک برای محورهایx ،y وz به ترتیب 27/71، 27/17 و 27/53 الکترون ولت و برای فاز تتراگونال برای محورهای x و z به ترتیب 27/01، 26/67 الکترون ولت محاسبه شد که اختلاف بین اعداد محورهای مشابه ناشی از اختلاف در حجم یاخته های بسیط آن هاست. ضریب شکست استاتیک بلور kh2po4 نیز برای فازهای اورتورومبیک و تتراگونال در راستای x به ترتیب 1/71 و 1/65 به دست آمد. منشأ تفاوت در این دو فاز گاف نواری انرژی، تقارن ها و سایر عوامل تأثیر گذار است.

هدف از اجرای این پروژه بررسی نظری خواص الکترونی و اپتیکی بلور batio3 درفاز تترا گونال، در حالت خالص و اثر جانشانی اتم های baوnb در ترکیب kxba(1-x)tiynb(1-y)o3 است. در بررسی ها از کد محاسباتیwien2k و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چهار چوب نظریه ی تابعی چگالی (dft) استفاده شده است. نتایج بدست آمده ازساختار نواری نشان می دهد که batio3 دارای گاف نواری غیر مستقیم در راستای a به ? می باشد.سهم عمده در چگالی حالت ها، ناشی از همپوشانی اوربیتال های o-2p و ti-3d است. در قسمت نتایج اپتیکی نشان دادیم که نوسانات پلاسمون در انرژی های بالا در حدود ev25/5 اتفاق می افتند.ضریب شکست استاتیکی در جهت x،2/47 و در جهت z ، 2/4 به دست آمد و در توافق خوبی با مقادیر تجربی است. اثر جانشانی اتم k به جای یک اتم ba، باعث افزایش گاف از مقدارev1/8 به مقدار ev1/9 می شود و ضریب شکست استاتیکی در اثر این جانشانی در جهت x از مقدار2/47به 4/49 و در جهت z از مقدار2/40 به مقدار 4/36 تغییر می یابد.

فروسن یک ترکیب آلی فلزی با فرمول fe(c5h5)2 می باشد. این مولکول دارای دو حلقه سیکلوپنتادی انیل می باشد که همه اتمهای کربن موجود در حلقه ها بطور همزمان به فلز مرکزی متصل شده اند. این ساختار ساندویچی تأثیر زیادی بر واکنشپذیری شیمیایی فروسن گذاشته و خواص فوتوفیزیکی و فوتوشیمیایی آنرا باعث می شود. این ماده بطور وسیع به عنوان واسطه هایی در فرایندهای مختلف انتقال بار استفاده می شود. هدف از انجام این تحقیق، بررسی خواص ویژه نانو ذره فروسن و برخی از مشتقات آن می باشد. در این تحقیق، از بسته محاسباتی wien2k که در چارچوب نظریه تابعی چگالی است و برای مطالعه خواص فیزیکی و شیمیایی طیف وسیعی از خواص مواد که به روش موج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل بکار می رود، استفاده شده است. کد wien2k یکی از بهترین کدهای تخصصی برای محاسبات خواص الکترونیکی، اپتیکی و مغناطیسی مواد می باشد که روی سیستم عامل linux اجرا می شود. برای انجام این تحقیق ابتدا نوع بلور و ثابتهای شبکه و موقعیت اتمها را در مولکول فروسن تعیین کردیم و سپس به بهینه کردن سیستم پرداختیم. پس از بهینه سازی، مینیمم انرژی را محاسبه کرده و چگالی الکترونی، گاف انرژی، ساختارهای نواری، خواص الکترواپتیکی و... را به کمک کد محاسباتی بدست آوردیم و در نهایت تحلیلهای مورد نظر را انجام دادیم.

در این کار خواص الکترونیکی، اپتیکی و مغناطیسی ترکیبات laxpo(x=mn, fe, ni) مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات االکترونی شامل چگالی الکترونی، چگالی حالت های کلی و جزئی الکترونی و ساختار نواری انرژی و محاسبات مغناطیسی شامل محاسبه گشتاور اسپینی یون-های فلز واسطه موجود در این ترکیبات می باشد. محاسبات ساختار نواری نشان می دهد که lamnpo در حالت اسپین بالا دارای یک گاف نواری غیر مستقیم به اندازه ev 9/0 می باشد، در حالیکه در دو ترکیب دیگر گاف نواری دیده نمی شود. علاوه بر این نمودارهای چگالی الکترونی نشان می دهند که این ترکیبات دارای ساختار لایه ای می باشند و پیوند های درون لایه ای در این ترکیبات ماهیت کووالانسی دارد در حالی که پیوند بین لایه ای از نوع یونی است. با توجه به نتایج حاصل از محاسبه اندازه حرکت مغناطیسی اسپینی مربوط به یون فلز واسطه در این ترکیبات می توان دید که lamnpo بیشترین خاصیت مغناطیسی را بروز می دهد در حالیکه این خاصیت در دو ترکیب دیگر کاهش می یابد و می توان گفت lanipo یک ماده ی غیر مغناطیسی است. در فصل چهارم این پایان نامه، ویژگی های اپتیکی شامل تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون، ضریب شکست، هدایت اپتیکی، جذب اپتیکی، بازتابندگی و قاعده جمع قدرت نوسانگر مورد بحث و بررسی قرار گرفته اند. نمودار های ضریب شکست مربوط به این سه ترکیب نشان می دهند که این مواد بیشترین شفافیت را در انرژی های بسیار پایین از خود بروز می دهند، علاوه بر این محاسبات انجام گرفته نشان می دهند که بیشترین ضریب شکست در راستای x متعلق به lafepo و در راستای z متعلق به lamnpo می باشد.

در این پایان نامه خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبk2tio3 در حالت خالص و اثر جانشانی اتم na به جای اتم k و همچنین خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیب (k2)x(na2)1-xtio3 مطالعه شده است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی (fl-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) انجام شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، چگالی حالت های کلی و چگالی ابر الکترونی وهمچنین خواص اپتیکی از جمله: تابع دی الکتریک ، تابع اتلاف انرژی الکترون، بازتابندگی، ضریب جذب، هدایت اپتیکی، ضریب شکست و ضریب خاموشی محاسبه و بررسی شده است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ترکیب k2tio3 گاف نواری غیر مستقیمی به اندازهev 58/3 دارد و با جانشانی اتم na این مقدار کاهش می یابد. درقسمت اپتیکی ، اثرجانشانی اتم na به جای kباعث افزایش ضریب شکست و بهبود خواص اپتیکی می گردد.

در این پایان¬نامه خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی yvo4 و gdvo4 به صورت نظری بررسی شده است. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده¬ی خطی (fp-lapw) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) استفاده گردیده است. نتایج بدست آمده نشان می¬دهد که yvo4 گاف نواری به اندازهev64/3 دارد که با جانشینی gd به جای y در ترکیب gdvo4، به مقدار ev.44/2 کاهش می¬یابد. اوربیتال f اتم gd خواص الکترونیکی متفاوتی را برای gdvo4 نسبت به yvo4 ایجاد می¬کند. ضریب شکست yvo4 بزرگتر از ضریب شکست gdvo4 می¬باشد. نتایج پاشندگی برای هر دو ترکیب با تجربه در توافق است. ضریب سی¬بک yvo4 در دماهای مختلف بزرگتر از gdvo4 است. بیشینه¬های فاکتور توان yvo4، بزرگتر از gdvo4 است. بنابراین خواص ترموالکتریکی yvo4 بهتر از gdvo4 می¬باشد. افزایش دما تاثیر مثبت بر روی خواص ترموالکتریکی هر دو ترکیب دارد.

خواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتایج اپتیکی از قبیل تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست و ضریب جذب پیشنهاد می دهند که این ترکیبات کاندیداهای خوبی برای کاربردهای اپتو الکترونیکی هستند. در مقایسه با ترکیبات ترمو الکتریکی دیگر, توان گرمایی آنها بالا استخواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتایج اپتیکی از قبیل تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست و ضریب جذب پیشنهاد می دهند که این ترکیبات کاندیداهای خوبی برای کاربردهای اپتو الکترونیکی هستند. در مقایسه با ترکیبات ترمو الکتریکی دیگر, توان گرمایی آنها بالا استخواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتایج اپتیکی از قبیل تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست و ضریب جذب پیشنهاد می دهند که این ترکیبات کاندیداهای خوبی برای کاربردهای اپتو الکترونیکی هستند. در مقایسه با ترکیبات ترمو الکتریکی دیگر, توان گرمایی آنها بالا استخواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتایج اپتیکی از قبیل تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست و ضریب جذب پیشنهاد می دهند که این ترکیبات کاندیداهای خوبی برای کاربردهای اپتو الکترونیکی هستند. در مقایسه با ترکیبات ترمو الکتریکی دیگر, توان گرمایی آنها بالا است

در این پایان¬نامه ویژگی¬های الکتریکی و نوری ترکیب ال- هیستیدین کلراید منو هیدرات (l-histidine chloride monohydrate) با استفاده از محاسبه¬های اصول اولیه مطالعه شده است. محاسبه¬ها به روش موج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) انجام شده است. از جمله ویژگی¬های مورد مطالعه می¬توان به ساختار نواری، چگالی ابر الکترونی، چگالی حالت¬ها، تابع دی¬الکتریک، تابع اتلاف، هدایت نوری، بازتابندگی، ضریب شکست، ضریب خاموشی، پاشندگی و ضریب جذب اشاره کرد. نتیجه¬های بدست آمده نشان می¬دهد که ال- هیستیدین کلراید منو هیدرات دارای پیوند کوالانسی بین اتم¬ها بوده و گاف نواری آن مستقیم و برابر ev 17/4 می¬باشد. هم چنین از نتیجه¬های نوری، گاف نوری برابر ev 00/4 و ضریب شکست استاتیک در راستای x، y و z به ترتیب برابر 65/1، 62/1 و60/1 بدست آمد، که نشان¬دهنده ویژگی ناهم¬سان¬گردی این ترکیب است. به دلیل شفافیت بالا و نیز ضریب جذب کم و بازتابندگی و ضریب شکست پایین در ناحیه مرئی، c6h12n3o3cl به¬عنوان پوشش ضد بازتاب در دستگاه¬های خورشیدی مناسب است. هم چنین با دارا بودن ویژگی¬های نوری غیر¬خطی، این بلور می¬تواند در لیزرها برای دوبرابر سازی بسامد و غیره به کار گرفته شود.

در این پایان نامه اثر جانشینی لیتیم با هیدروژن بر خواص کشندگی پیوندی و اپتوالکترونیکی آلانین با استفاده از محاسبات اصول اولیه مطالعه شده است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) انجام شده است. از جمله خواص مورد مطالعه می توان به ساختار نواری، چگالی ابر الکترونی، چگالی حالت ها، خواص دی الکتریک، تابع اتلاف، هدایت اپتیکی، بازتابندگی، ضریب شکست، ضریب خاموشی، پاشندگی و ضریب جذب اشاره کرد. نتایج بدست آمده نشان می دهد که آلانین ch3ch(nh2)cooh و ترکیبات ch3ch(nh2)cooli و ch3ch(nhli)cooh دارای پیوند کوالانسی بین اتم ها بوده و گاف نواری آنها مستقیم و به ترتیب برابر 82/4، 40/2 و 50/3 الکترون ولت می باشد. همچنین از نتایج اپتیکی گاف اپتیکی برابر 70/4، 45/2 و 45/3 الکترون ولت بدست آمد. مقدار ضرایب شکست برای این ترکیب ها در راستای x، y و z متفاوت است که نشان دهنده خاصیت ناهمسانگردی این ترکیب ها است. ضریب شکست ترکیب ch3ch(nhli)cooh از دیگر ترکیب ها کوچکتر است. بازتاب در ترکیب ch3ch(nhli)cooh نسبت به دو ترکیب دیگر بسیار ناچیز است بنابراین می توان از آن برای پوشش لنز دوربین عکاسی و دستگاه های خورشیدی استفاده نمود.