چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

نسل جدید فیبرهای مورد استفاده در سیستم های ‏‎wdm‎‏از نوع فیبرهای با پاشندگی انتقال یافته غیر صفر‏‎nz-dsf‎‏ هستند. در هنگام استفاده از پالسهای با شدت زیاد ، سهم قسمت غیرخطی ضریب شکست به طور محسوسی افزایش می یابد و اثرات ‏‎kerr‎‏ در فیبر نوری بوجود می آید. که شامل ‏‎xpm,mi,spm,fwm‎‏ است . چون سطح موثر فیبر با شدت رابطه عکس دارد، با طراحی فیبرهایی با سطح موثر بالای ‏‎100ym2‎‏ این اثرات ، کاهش قابل ملاحظه ای می یابند. برای این منظور چندین پروفایل ضریب شکست ، طراحی و مورد بررسی قرار داده شده است.

آهنرباهای فریتی یا سرامیکی سخت با فرمول شیمیایی ‏‎mo.nfe2o3‎‏ که در آن ‏‎m‎‏ یکی از عناصر‏‎sr,ba,pb‎‏ و یا مخلوطی از آنها است ، دارای ساختار بلوری هگزاگونال است و به روشهای مختلفی همچون روشهای پودری وهمرسوبی ساخته می شود. از آنجا که بیش از 85 درصد ماده اولیه این آهنرباها ، ماده ارزان قیمت اکسید آهن سه ظرفیتی یا هماتیت می باشد ، هزینه ساخت این آهنرباها پایین بوده که این امر منجر به کاربرد روزافزون این آهنرباها شده ، طوری که اکنون بیش از دو سوم آهنرباهای تولیدی در دنیا از این نوع است. ویژگیهای مغناطیسی این آهنرباها وابستگی شدیدی به نوع مواد اولیه و ناخالصیهای موجود در آنها و نیز افزودنی های آنها دارد. همچنین این ویژگیها به مرحله ای از ساخت که افزودنیها اضافه می شود وابسته است . از سوی دیگر این پارامترها به عملیات ساخت مانند عملیات گرمایی، عملیات آسیاب و عملیات تفجوشی وابسته اند. در این پژوهش گروهی از فریتهای سخت استرانسیومی با روش معمول سرامیکی تهیه و ویژگیهای مغناطیسی آنها اندازه گیری گردید.

دراین پایان نامه نحوه تجزیه و تحلیل یک موج بر عایق استوانه ای شکل با ضریب شکست پله ای ارائه شده است . این فرمول بندی برای فیبرهای نوری پنج لایه صادق است ولی درحالت حدی برای فیبرهای با لایه های کم تر نیز قابل استفاده است . مشخصه های انتشار مانند سطح موثر، قطر میدان مدی ‏‎mdf‎‏، طول موج قطع، پاشندگی و اتلاف ناشی از اتصال و خمش ارائه شده است . همچنین نشان داده شده که سطح موثر بیشتر تنها به ازای مقدار اتلاف بیشتر( و در نتیجه قطر میدان مدی بزرگتر) بدست می آید.بنابراین با استفاده از تعریف کمیتی بر حسب سطح موثر و قطر میدان مدی به نام ضریب کیفیت ، امکان مقایسه فیبرها مقدور گردیده است .

یکی از روش های مطالعه قطعات نیمرسانا استفاده از نرم افزارهای شبیه سازی است. در تحقیق حاضر ابتدا مهمترین نرم افزارهای شبیه سازی قطعات نیمرسانا مانند ‏‎atlas, spice‎‏ و ‏‎pcid‎‏ معرفی و مورد ارزیابی قرار گرفته است و سپس از چند برنامه موجود برای بررسی پارامترهای یک سلول فوتوولتایی (خورشیدی) استفاده شده است .- از مهمترین نرم افزارهای شبیه سازی می توان به برنامه ‏‎pcid,atlas,spice‎‏ اشاره نمود . - برنامه ‏‎spice‎‏ با نسخه های ‏‎pspice tm‎‏ ، ‏‎aim-spice برای شبیه سازی تمامی پارامترهای اتصال ‏‏‎p-n‎‏ و در نتیجه مدلساری و طراحی کلیه قطعاتی که اتصال ‏‎p-n‎‏ ساختار اصلی آ»ها را تشکیل می دهد، استفاده می شود . برنامه ‏‏‎atlas‎‏ قسمت بزرگی است از سایت نرم افزاری ‏‎vwf‎‏ است که قادر به شبیه سازی تمامی قطعات نیمرساناست . ‏‎atlas‎‏ به چندین بخش تقسیم می شود که هر یک به منظور شبیه سازی قطعات ویژه ای طراحی شده اند . اگر بخواهیم با استفاده از شبیه سازی توصیفی از یک سلول فوتوولتایی به عنوان نمونه ای از قطعات نیمرسانا داشته باشیم، ‏‎picd‎‏ یکی از مناسب ترین برنامه هایی است که برای این منظور استفاده می شود . تقریبا تمامی پارامترهای یک سلول فوتوولتایی را می توان با دقت بسیار و محدودیت کم توسطس این برنامه شبیه سازی، بررسی کرد .

در پنج سال اخیرنوع جدیدی از فیبرهای نوری موسوم به فیبرهای سوراخدار ساخته و بررسی شده است که تمام آن از یک جنس سیلیکا بوده و دارای سوراخهای ریز متعددی است که در سراسر طول فیبر کشیده شده است. این نوع فیبرها دارای ویژگی تک مدی بودن در گستره وسیعی از طیف است. همچنین پاشندگی این فیبر با فیبر های رایج بسیار متفاوت است. مدلهایی نیز برای محاسبه و طراح این فیبرها ارائه شده است که به مرور کارآمدتر گشته است. در این پایان نامه ویژگی های این فیبر بررسی گشته و سپس تاثیر پارامترهایی از قبیل اندازه و فاصله سوراخ ها و همچنین ترتیب آنها بر گستره طیفی تک مدی بودن ، پاشندگی سرعت گروه و همچنین میدان خروجی بر اساس یکی از مدلها به نام مدل برداری بررسی می گردد. فیبر با آرایش استوانهای طراحی شد. معلوم شد که اگر چه ترتیب سوراخ ها در تک مد بودن فیبر نوری تاثیری ندارد اما شکل الگوی میدان خروجی و پاشندگی سرعت گروه از ترتیب سوراخ ها و بیش از آن از نسبت اندازه سوراح به فاصله سوراخ ها تاثیر می پذیرد.

فیلترهای تمام فیبر اتلاف ناچیزی دارند و در شبکه های فیبرنوری به راحتی قابل تکمیل کردن هستند. با انتخاب پارامترهای فیبر، یک فیلتر طیفی متشکل از دو فیبر یکی تک مدی و دیگری چند مدی که بر اساس کوپلاژ بین مدهای ‏‎lp01 - lp02‎‏ عمل می کند، طراحی شده است. این فیلتر می تواند به عنوان جداکننده طول موج با باند نازک به پهنای حدود نانومتر و یا مدل مد با پهنای چند ده نانومتر بکار رود. ما به کمک برنامه های کامپیوتری نوشته شده موفق به ایجاد مبادله توان در مد و طول موج دلخواه شدیم. طراحی های ما در مورد ‏‎lp11‎‏ ضمن بار تولید نتایج سایر پژوهشگران نتایج بهتری از لحاظ مشخصه های انتقال به دست داده است. نتایج حاصله در مورد کوپلاژ بین مدی ‏‎lp01 - lp02‎‏ تا آنجا که جستجو کرده ایم برای بار اول تولید شده اند.

هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار ‏‎pn‎‏ از جنس نیمه هادی گالیم آرسناید به روش باریکه مولکولی ‏‎(mbe)‎‏ می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلولهای خورشیدی پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود ‏‎pn‎‏ برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی نیاز است تا الکترونها و حفره های تولید شده توسط نور از یکدیگر جدا شوند و هرکدام به یکی از اتصالهای خارجی هدایت شود. برای تحقیق این امر به یک میدان الکتریکی داخلی نیاز است که در نیمه هادی تولید شود و این نیز با استفاده از پیوند دیودی امکان پذیر است. در این پایان نامه سعی بر اینست که اصول اساسی سلولهای خورشیدی ‏‎iii-v‎‏ مرور شود و به این منظور به بررسی اثر تابش نور بر نیمه هادی و پیوند دیودی و نیز روابط و پارامترهای مهم در سلولهای خورشیدی دیودی پرداخته شود. رشد لایه های گالیم آرسناید به روش ‏‎mbe‎‏ استفاده شده است. در این روش که تحت خلا بسیار بالای 7-10 تور می باشد. باریکه های مولکولی عناصر گالیم آرسناید و ناخالصی نوع ‏‎n‎‏ سلیسیم بر روی سطح زیر لایه داغ بلور گالیم آرسناید با جهت بلوری (001) نشانده شده است. طی این آزمایشها سه لایه به نامهای ‏‎l122np2 (پیوند ‏‎pn‎‏ ) ‏‎l120pd31‎‏ (پیوند ‏‎pn‎‏ ) و 0‏‎l120pd3‎ رشد داده شد.در لایه اول ضخامت لایه رشد داده شده ‏‎(n)‎‏ 2 میکرومتر و میزان غلظت الکترونها 16 10 بر سانتی متر مکعب می باشد و با اندازه گیریهایی که با تابش نور توسط یک چراغ آزمایشگاهی با توان فوتونهای تابش شده ‏‎14,6412 mw/cm2‎‏ صورت گرفت و با توجه به مساحت قطعه (60،6 سانتی متر مربع) بازده 86/13 درصدی بدست آمد و برای مورد دوم ضخامت لایه رشد شده 25/0 میکرومتر و میزان غلظت الکترونهای لایه ‏‎n‎‏ 17 10 5،7 بر سنتی متر مکعب می باشد و با توجه به مساحت (60، 0 سانتی متر مربع) بازده 3/21 درصدی بدست آمد. اما قطعه سوم یک پیوند ‏‎pin‎‏ می باشد که در ابتدا یک لایه ‏‎n‎‏ با ضخامت 9/0 میکرومتر با غلظت تقریبا 16 10 *3، 0 بر سانتی متر مکعب بر روی لایه ‏‎p‎‏ رشد داده شد و سپس یک لایه ‏‎n‎‏ دیگر البته با غلظت به مراتب خیلی بیشتر از لایه ‏‎n‎‏ اولی (17 10 5، 6 ) ‏‎n‎‏ و با ضخامت 1. 0 میکرومتر بر روی لایه ‏‎n‎‏ اولی رشد داده شد و با توجه به مساحت قطعه (1. 0 سانتی متر مربع) بازده 2/18 درصدی بدست آمد. در ادامه همین اندازه گیریها اندازه گیریهای منحنی ‏‎i-v, c-v‎‏ و منحنی های غلظت برحسب ناخالصی برای هر قطعه بدست آمدند و برای لایه ‏‎l120 pd31‎‏ نتیجه اندازه گیری اثر هال بدست آورده شد که قابلیت تحرک الکترونهای این لایه ‏‎3848,7 cm2/v.s‎‏ حاصل گردید.