خواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتایج اپتیکی از قبیل تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست و ضریب جذب پیشنهاد می دهند که این ترکیبات کاندیداهای خوبی برای کاربردهای اپتو الکترونیکی هستند. در مقایسه با ترکیبات ترمو الکتریکی دیگر, توان گرمایی آنها بالا استخواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتایج اپتیکی از قبیل تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست و ضریب جذب پیشنهاد می دهند که این ترکیبات کاندیداهای خوبی برای کاربردهای اپتو الکترونیکی هستند. در مقایسه با ترکیبات ترمو الکتریکی دیگر, توان گرمایی آنها بالا استخواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتایج اپتیکی از قبیل تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست و ضریب جذب پیشنهاد می دهند که این ترکیبات کاندیداهای خوبی برای کاربردهای اپتو الکترونیکی هستند. در مقایسه با ترکیبات ترمو الکتریکی دیگر, توان گرمایی آنها بالا استخواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتایج اپتیکی از قبیل تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست و ضریب جذب پیشنهاد می دهند که این ترکیبات کاندیداهای خوبی برای کاربردهای اپتو الکترونیکی هستند. در مقایسه با ترکیبات ترمو الکتریکی دیگر, توان گرمایی آنها بالا است