هدف از این پروژه طراحی و شبیه سازی و ساخت یک آنتن ویوالدی در باند x با استفاده از تکنولوژی مدارات مجتمع در زیر لایه به عنوان منبع تغذیه می باشد به صورتی که برگشتی در تمام باند زیر -10db شود و آرایه گین مناسبی داشته باشد. در این پروژه تکنولوژی siw به عنوان راه حل کم هزینه و سبک و آسان و در عین حال کارآمد از لحاظ پایین بودن میزان تضعیف نسبت به سایر روشهای مجتمع در زیر لایه و بالا بودن ضریب q در طراحی آنتنهای ویوالدی معرفی شده است. آنتن ویوالدی همواره به عنوان یک راه حل سبک و ارزان قیمت در کاربردهایی با پهنای باند بالا مد نظر بوده است. اما پهنای باند بزرگ این آنتن و سادگی ساخت آن همیشه به وسیله تغذیه آن که پهنای باند کمتر و پیچیدگی بیشتری دارد، تحت تأثیر قرار گرفته و محدود شده است. به علاوه پیچیدگی ساخت بقیه عنصرها مثل تقسیم کننده های توان یا شیفت دهنده های فاز بر همان ورقی که آنتن و تغذیه روی آن قرار داده شده اند مشکل دیگری بوده است که با انتخاب تکنولوژی siw به عنوان تغذیه این مسئله نیز مرتفع شده است. در این پایان نامه ابتدا تئوری آنتن هایtsa و به ویژه آنتن های ویوالدی و اصول مربوط به طراحی آرایه ها و همچنین تئوری پایه تکنولوژی siw و اصول طراحی تقسیم کننده های توان ارائه خواهد شد. سپس اصول مربوط به جزئیات طراحی و پارامترهای مورد نظر در طراحی و اثرات آنها بر آنتن سنجیده می شود. چگونگی شبیه سازی و بهینه سازی آرایه آنتن ویوالدی و خط انتقال siw مفصلاً مورد بحث و بررسی قرار گرفته و هدف طراحی که رسیدن به پهنای 4ghz در باند x است محقق شده است. در نهایت ساخت و اندازه گیری، که نتایج اندازه گیری تفاوت ناچیز با نتایج طراحی را نشان می دهد و نیز مقایسه طرح با طرح های قبلی که در سایر مقالات به آن پرداخته شده است و نتیجه گیری و پیشنهادات را در برمی گیرد.