با پیشرفت تکنولوژی و افزایش فرکانس و کاهش ابعاد در بردهای الکترونیکی، تاثیرگذاری و تاثیرپذیری خطوط انتقال درون برد بر هم افزایش یافته است. برای اطلاع از میزان این تاثیر نیاز به محاسبه همشنوایی بین خطوط جدی می شود. همچنین برای اطلاع یافتن از اینکه برد حاصل استانداردهای emc را بر آورده می کند، باید میزان ولتاژ و جریان القایی در انتهای خطوط هنگامی که این برددر حضور میدان الکترومغناطیس خارجی قرار گیرد و همچنین میزان میدان تشعشع یافته از آن محاسبه شود. برای خطوط مایکرواستریپ موازی موارد بالا به تفضیل با استفاده از روش های حالت ساکن مورد بررسی قرار گرفته است. اما هنگامی که دو خط مایکرواستریپ باهم موازی نباشند، ظاهرا تنها راه استفاده از روش های عددی تمام موج است. در این پروژه روش جدیدی که در سال های اخیر، بر پایه تاثیر میدان الکترومغناطیس خارجی بر خطوط انتقال، در محاسبه همشنوایی بین خطوط مایکرواستریپ غیر هم راستا معرفی شده است بکار گرفته و زمان اجرای آن کاهش داده شده است. سپس با توسعه این شیوه روش جدیدی در محاسبه ولتاژ القایی در اختتام های دو خط مایکرواستریپ مورب در حضور یک موج صفحه ای خارجی معرفی و اجرا شده است و در انتها با استفاده از قضیه همپاسخی و نتایج قسمت قبل میدان تشعشع یافته از این سیستم نیز محاسبه شده است. فصل سوم شامل موارد بالاست. به عنوان مقدمه در فصل اول به خطوط انتقال جندتایی و در فصل دوم به خطوط انتقال در حضور میدان الکترومغناطیس خارجی پرداخته شده است. فصل اول شامل معادلات خطوط انتقال چندتایی و محاسبه پارامترهای خطوط انتقال سیمی اس. فصل دوم با یافتن معادلات حاکم بر خطوط انتقال در حضور میدان الکترومغناطیس خارج شروع می شود و در نهایت به عبارات تقریبی برای ولتاژ القایی در اختتام های یک خط مایکرواستریپ که در معرض تابش یک موج صفحه ای قرار گرفته است ختم می شود.