در این تحقیق، نانو پودر و سرامیک های دی الکتریک ba1-xcaxtio3 (x = 0,0/01 ,0/03,0/05) به دو روش مخلوط اکسیدی (واکنش حالت جامد) و سل – ژل سنتز شدند. پودرهای حاصل از هر دو روش در دمای 1100 درجه سانتی گراد کلسینه و پس از قالب زنی در دمای 1350 درجه سانتی گراد برای مدت 2 ساعت تفجوشی شدند. با استفاده از طیف سنجی پراش پرتوی ایکس (xrd) و میکروسکپ های الکترونی روبشی (sem) و عبوری (tem) ساختار نمونه ها بررسی و نیز پارامترهایی نظیر اندازه بلورک ها، کرنش موجود در شبکه و اندازه دانه ها محاسبه شدند. طرح پراش پرتوی x نشان داد که همه نمونه ها دارای ساختار تتراگونال می باشند. با توجه به نمودار ثابت دی الکتریک بر حسب دما، مشخص شد که دمای کوری با افزایش درصد جانشانی کلسیم افزایش می یابد به طوری که دمای کوری نمونه های تهیه شده به روش مخلوط اکسیدی از 134 درجه سانتی گراد برای 0 = x به 148 درجه سانتی گرادبرای 0/05 = x و برای نمونه های ساخته شده به روش سل – ژل از 132 درجه سانتی گراد برای باریم تیتانات به 142 درجه سانتی گراد برای 0/05 = x می رسد. نمونه های سنتی دمای کوری بالاتری نسبت به نمونه های تهیه شده به روش سل – ژل دارند. همچنین با تهیه قرص هایی از پودر نمونه ها، ثابت دی الکتریک و اتلاف دی الکتریک نمونه ها مورد بحث و بررسی قرار گرفت.