این فعالیت به بررسی تاثیر دما، زمان ومحیط بازپخت در نانوساختار و خواص اپتیکی لایه های نازک اکسید روی می پردازد. به این ترتیب که ابتدا لایه های نازک روی به روش تبخیر با باریکه الکترونی برروی زیرلایه های سیلیکون (با ضخامت nm 90) انباشته شده و سپس در محیط های مختلف (شار اکسیژن و هوا)، زمان های مختلف (3و1 ساعت)و در دماهای مختلف (oc 800-200)اکسید شدند. ساختار بلوری این لایه ها به وسیله پراش پرتو-x و ریخت شناسی سطح این لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شد. همچنین به بررسی خواص اپتیکی و فتولومینسانس این لایه ها نیز پرداخته شد. و در نهایت نانوساختار، ریخت شناسی سطح و خواص اپتیکی لایه های اکسید روی به صورت تابعی از متغیر های یاد شده بررسی شد.