در این پروژه خواص چند لایه ایtio2/psi/si مورد بررسی قرار گرفته است. لایه های سیلیسیوم متخلخل به روش آنودیزاسیون الکتروشیمیایی سیلیسیوم نوعp ساخته شدند. لایه های دی اکسید تیتانیوم به روش تبخیر با پرتو تفنگ الکترونی لایه نشانی شده اند. قطر حفره های لایه ی سیلیسیوم متخلخل و مورفولوژی لایه های دی اکسید تیتانیوم به روش sem مورد بررسی قرار گرفت. طیف xrd به منظور بررسی ساختار بلوری لایه های دی اکسید تیتانیوم استفاده شد. نتایج این آنالیز نشان داد که نمونه های دی اکسید تیتانیوم دارای فاز آناتاز بوده و بعد از پخت حرارتی در جهت (101) رشد بیشتری دارند. با تغییر چگالی جریان و نیز تغییر زمان آنودیزاسیون نمونه های سیلیسیوم متخلخل با درصد تخلخل های مختلف ساخته شدند. تخلخل لایه ها با استفاده از روش وزن سنجی اندازه گیری شد. سپس خواص الکتریکی نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. اثر دمای پخت بر خواص نمونه ها نیز مورد بررسی قرار گرفت. به منظور این بررسی نمونه های ساخته شده با شرایط آندیزاسیون مشخص را در دماهای 400، 500، 600 و 700 درجه سلسیوس پخت دادیم و به بررسی نمودار ولتاژ- جریان نمونه ها پرداختیم. در این پروژه همچنین تاثیر تابش نور با طول موج های مختلف بر خواص الکتریکی نمونه ها بررسی شد. برای مطالعه خواص اپتیکی نمونه ها به بررسی طیف نورتابی نمونه های پخت داده شده پرداختیم. در نهایت نمونه های سیلیسیوم متخلخل با استفاده از ویفر سیلیسیوم چند بلوری ساخته شدند و پس از لایه نشانی با دی اکسید تیتانیوم به بررسی خواص الکتریکی این نمونه ها نیز پرداختیم