برای ساخت لایه ی نازک، روش های متداولی از جمله لایه نشانی لیزر پالسی، کندوپاش، لایه نشانی تبخیری موجود می باشد که روش های بسیار پرهزینه ای هستند. در تلاش برای یافتن راه های کم هزینه تر مناسب با امکانات آزمایشگاهی موجود، روش های انباشت شیمیایی محلول و ذوبی به کار گرفته شد. نوع حلال مورد استفاده، حذف فازهای ثانویه و استفاده از زیرلایه ی مناسب، پارامترهای مهم در روش انباشت شیمیایی محلول می باشند. در این تحقیق، لایه ی ابررسانای (y123)yba2cu3o7به روش انباشت شیمیایی محلول ساخته شد. برای ساخت فاز خالص در روش محلول از زیرلایه یsrtio3 استفاده شد و دمای پخت بهینه 930? تعیین گردید. دمای بحرانی نمونه بهینه yba2cu3o7، 88k به دست آمد. اثر پلیمر برای ساخت لایه یy123روی زیرلایه های si، sio2 و al2o3 بررسی شد که نتیجه آن فاز ناخالص را نشان داد. هم چنین، روش انباشت شیمیایی محلول در ساخت لایه y3ba5cu8o18 به کار گرفته شد که فاز خالص شکل نگرفت. از این رو، روش ذوبی برای ساخت لایه یy358 به کار گرفته شد. نتایج الگوی پراش (xrd) و اندازه گیری دمای بحرانی (tc) تشکیل فاز y358 را روی زیرلایه یal2o3 در دمای پخت 1030"?" نشان دادند. ریخت شناسی و ضخامت لایه یy358 توسط تصاویر میکروسکوپ الکترونی (sem) بررسی شد.