در این پژوهش، پس از معرفی و بیان خصوصیات سیلیکون متخلخل و بلورهای فوتونی، عوامل موثر بر گاف نواری بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل یک بعدی بررسی شده است. علاوه بر آن نشان داده شده است که با ایجاد یک نقص در ساختار بلور فوتونی، در گاف نواری آن، یک یا چند مُد نقص ایجاد می شود که در عمل از اهمیت بالایی برخوردار است. در ادامه عوامل موثر بر موقعیت، تعداد و ضریب کیفیت مُدهای نقص مورد بررسی قرار گرفته است. در پایان با قرار دادن نقص چند لایه ای در ساختار بلور، توزیع مُدهای نقص ایجاد شده، مورد مطالعه قرار گرفت. با توجه به اینکه برای محاسبه طیف عبوری بلورهای فوتونیِ در نظر گرفته شده، از روش ماتریس انتقال استفاده شده است حجم محاسبات نسبتاً کم و زمان انجام محاسبات نسبتاً کوتاه می باشد.