در این پروژه طراحی، ساخت و اندازه گیری بر روی برخی از احساسگرهای مینیاتوری که در فن آوری لایه های نازک و میکروالکترونیک قابل ساخت می باشند صورت گرفته است. تمامی مراحل ساخت که شامل طراحی اولیه، ساخت نقاب روی شیشه، لایه نشانی موادی چون (s03n4, sio2, ge, cu, al, ni,cr) زدایش و الگودهی این لایه ها و ایجاد اتصالات می باشد باموفقیت انجام شده است. از جمله احساسگرهای ترموکوپلی ساخته شده در این پروژه احساسگرهای شارژ و اشکار سازهای مادون قرمز بوده است. ساخت این حسگرهای ترموکوپلی علاوه بر زیر لایه های شیشه ای بر روی زیر لایه های انعطاف پذیری چون pet گزارش می شود. نمونه های مختلفی ساخته شده و مورد ازمایش قرار گرفته است که نتایج آن گزارش می شود. در این راستا ساخت غشاء نازک شیشه ای و میکروکوپل هایی از جنس نیترید سیلیکان و ایجاد غشای نازک بر بستر pet انجام گرفته است. ریزماشینکاری بسترهایی از جنس پلاستیک pet برای ساخت حفره ها و غشاهای نازک تشریح می شود. dmf به عنوان حلال pet و نقاب چندلایه ای ge/cu برای اینکار بکار برده می شوند. نرخ زدایش حدود 12mn/hدر حضور اشعه ماوراء بنفش با طول موج 360nm شدت 35mw/cm2 در دمای 115 بدست آمده است. حساسیت افزاره های ساخته شده از جنس فلز-فلز و فلز-نیمه هادی مقایسه شده است که این مقایسه حساسیت بیشتر افزاره های فلز-نیمه هادی را آشکار می کند. که در این راستا کریستالی نمودن لایه های نیمه هادی که در حسگرهای مینیاتوری نیمه هادی بکار برده شده است، به خصوص بر روی زیر لایه هایی از جنس pet برای اولین بار گزارش می شود و روش هایی از آنالیز سطحی مورد مطالعه قرار گرفته است.

رشد رونشستی از فاز مایع روشی است که برای ساختن ادوات الکترونیکی و لیزری نیمه هادی بطور وسیعی از آن استفاده می شود. در این پایان نامه، لایه های نازک gaas/algaas روی یک زیر لایه n-gaas با جهتمندی (100) با روش lpe رشد داده شده اند که این لایه های نازک دارای مشخصات زیر هستند: لایه اول) n-gaas:te به ضخامت 4 تا 6 میکرون و تراکم آلاینده n=4x10 18 cm-3 لایه دوم) n-al0.4ga0.6as:sn به ضخامت 5/1 تا 5/2 میکرون و تراکم آلاینده n=4x10 16cm-3 لایه سوم) gaas به ضخامت تقریبی 1/0 میکرون و بدون آلاینده لایه چهارم) p-al0.4ga0.6as:ge به ضخامت 5/1 تا5/2 و تراکم آلاینده p=3x10 17cm-3 لایه پنجم) p-gaas:ge به ضخامت 2 تا 3 میکرون و تراکم آلاینده p=4x10 18cm-3 تهیه شد. پس از رشد لایه ها ضخامت و یکنواختی لایه گذاری بوسیله میکروسکوپ نوری مورد بررسی قرار گرفت همچنین بوسیله دستگاه sims عناصر تشکیل دهنده در هر لایه مورد بررسی قرار گرفت. بر اساس اطلاعات بدست آمده از دستگاه sims تغییرات al,as,ga که عناصر تشکیل دهندهنیکه هادی algaas, gaas را تشکیل می دهند به دقت اندازه گیری شدند همچنین چگالی ناخالصی های ge,sn,te وتغییرات دانسیته بر حسب عمق نفوذ کاملا نشان میدان که میزان بهینه هر کدام از ناخالصی ها در چه حدودی بایستی باشد.