حضور ناخالصی های مغناطیسی در فلزات موجب تغییر خواص الکتریکی آن ها می گردد. ما با استفاده از یک مدل ساده به بررسی اثرات پراکندگی ناشی از حضور ناخالصی های مغناطیسی بر رسانش نانولوله های تک دیواره کربنی می پردازیم. این مدل ساده عبارت است از استوانه ای فلزی که تعداد کمی ناخالصی مغناطیسی بر روی سطح آن قرار گرفته اند. بخش غیر خطی رسانش (اثر کاندو) را که حاصل برهم کنش الکترون های رسانش با ناخالصی هاست، بدست آورده و نشان خواهیم داد که بزرگی آن به محل برقرار گیری ناخالصی ها و همچنین به اندازه شعاع نانولوله بستگی دارد.

گراف هم بیشین حلقه ی یکدار r گرافی است که مجموعه ی راس های آن تمامی عناصر حلقه یr است و دو راس از آن مانندa و b مجاورند اگر و تنها اگر ra+rb=r .برخی از ویژگی های آن مانند هم بندی و قطر را بررسی میکنیم.