در سالهای اخیر توجه زیادی به انتقال گذار مغناطیسی در بیسموت می شود، که دلیل آن مشاهده وابستگی دمایی در طراحی قطعات (نظیر قطعات الکترونیکی، اپتوالکترونیکی و شیمیایی) و مقاومت مغناطیسی مانند زمانی که میدان مغناطیسی قوی عمود بر نمونه عمل می کند و نقش تعیین کننده ایی در خواص نمونه ها دارد، می باشد. این فرآیند موجب می شود که بیسموت یکی از گزینه های مناسب برای کاربردهایی مانند حسگرهای میدان مغناطیسی به شمار آید. در تولید نانو ذرات بیسموت باید اندازه ذره قابل ملاحظه باشد و با میزان ترکیبات متفاوت به روش سل-ژل سنتز شوند که این مواد سنتز شده باید تطابق شبکه ایی مناسب را با ساختار زیرین یا زیر لایه داشته باشند. میزان ترکیب های نانو ذرات بیسموت با اندازه دانه ایی بزرگ با مقاومت مغناطیسی پوسته ایی که به وسیله گسیل های مختلف محدود می شوند مورد ارزیابی قرار می گیرند. در این پایان نامه توانستیم ترکیبات مختلفی از نانو ذرات اکسید بیسموت را به روش سل-ژل سنتز نماییم. بررسی ها نشان می دهند پوسته های بیسموتی از مقاومت مغناطیسی بسیار پایینی برخوردارند. این پوسته ها ممکن است در حالت غیر فلزی دارای مقاومتی باشند که با کاهش اندازه ذره ی بیسموت به میزان 50nm رفتار نیمه فلزی از خود نشان دهند.