تغییر مقاومت مغناطیسی و پراکنده شدن ذرات در اثر حضور میدان مغناطیسی خارجی پایه ساخت بسیاری از سنسورهای مغناطیسی است. مقاومت مغناطیسی کل z در یک رسانای فرومغناطیسی، شامل قسمت حقیقیr و موهومیl است. با اعمال میدان مغناطیسی خارجی بر یک رسانای فرومغناطیسی که جریان متناوب الکتریکی (ac) از آن عبور میکند، به وجود آمدن میدان مغناطیسی عرضی و یا زاویه ای موجب تغییر در مقاومت حقیقی و موهومی آن و در نتیجه مقاومت کل میگردد. پدیده gmr شامل بررسی میزان تغییر مقاومت حقیقی رسانا و پدیده gmi میزان تغییر امپدانس و مقاومت کل رسانا را در بر میگیرد. در بررسی پدیده fmr موج الکترومغناطیسی به سطح ماده رسانای فرومغناطیس برخورد داده میشود و در اثر پدیده جذب در فرکانس رزونانسی ماده، پیک های نمودار اسپکتروسکوپی آن رخ میدهند. مطالعات و تحقیقات نشان داده اند که پدیده gmr و gmi در محدوده فرکانسی پایین و پدیده fmr و gmi در محدوده فرکانسی بالا کاملا هم ارزند. در این رساله، معادلات حاکم و مدلهای توضیح دهنده این پدیده ها تشریح و سپس مقادیر تئوریک امپدانس و عمق نفوذ برای نمونه محاسبه و با نتایج آزمایشگاهی مقایسه گشته اند و به شباهتهای کیفی و تفاوتهای عددی پرداخته شده است.