مدیریت دانش

در سال های اخیر سرامیک های بر پایه خانواده( cacu3ti4o12 (ccto به سبب داشتن ثابت دی الکتریک بالا به منظور به کارگیری آنها در ساخت قطعات الکترونیکی مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته است. ساختار ccto به صورت پرووسکایت مکعبی حجم مرکز دار با گروه فضایی im3 تا دماهای پایین 35 درجه کلوین می باشد. برخی از این ترکیبات ثابت های دی الکتریک تا مقادیر بالای 100000 را در دمای اتاق در گستره فرکانس بین 100 و 1 مگا هرتز دارا هستند. بهر حال در حین ساخت چنین سرامیک هایی شرایط به کار گرفته شده و پارامترهای مختلف تاثیر زیادی بر ویژگی های دی الکتریک آن ها دارند. در این پروژه عمدتا اثر زمان تفجوشی بر خواص دی الکتریکی سرامیک های ccto تهیه شده بررس خواهد شد.