قطعات لایه نازک فتالوسیانین مس با الکترودهای آلمینیومی به وسیله تبخیر حرارتی پی در پی در خلا با فشار تقریبی 00001/0 میلی بار بر روی زیر لایه های شیشه ای تمیز شده، آماده شدند . اندازه گیری های ac در محدوده ی فرکانس های 100 تا 100000 هرتز و در فاصله دمایی 300 تا 430 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت و عامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می کند. نتایج نشان می دهند که غالب شدن مدل های جهش با برد متغیر vrh و تیوری نواری در مکانیزم ریانس وابسته به شرایط اعمال شده می باشد.مشااهده شده در فرکانسهای پایین و درجه حرارتی بالا مکانیزم هدایت از نواع نواری و در فرکانس های بالا و در جه حرارت های پایین از نوع جهشی با برد vrh می باشد . مقار گاف انرژی cupc با استفاده از اندازه گیری های dc در حدود 41% الکترون ولت تعیین شده است . آنالیزهای پراکندگی اشعه x بر روی لایه های به ضخامت 200 نانو متر برای تعیین فاز کریستالی انجام شد. نتایج نشان داده که این لایه ها دارای شکل b می باشند و قله پراکندگی آن در a d=12/73941 و 0527/8=2 می باشد. تصاویر گرفته شده از طریق sem نشان می دهد که ذرات در طول لایه نشانی در ابعاد نانومتر شکل گرفته اند. همچنین از طریق این تصاویر می توان گستردگی سطحی در شکل کریستالی را بعد از حرارت دادن مشاده نمود.