لایه ی نازک اکسید سیلسیم به علت دارا بودن ضریب شکست پایین و در عین حال شفاف بودن در محدوده ی مریی کاربرد بسیار زیادی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی دارد همچنین این ترکیب به علت دارا بودن خواص الکتریکی ویژه در قطعات میکروالکترونیک از جمله در مدارات مجتمع به طور وسیع مورد استفاده قرار می گیرد برای تولید ترکیب اکسید سیلسیم به صورت لایه نازک به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی استفاده از گاز سیلان به عنوان پیش ماده متداول است. ولی این گاز بسیار اشتعال پذیر و انفجاری بوده به طوری که در صورت بروز حادثه خسارت جانی و مالی بسیار شدیدی به بار می آورد. بنابراین در سال های اخیر مواد متعددی به عنوان پیش ماده مورد بررسی قرار گرفته است. در این تحقیق از ماده ی فلزی-آلی teos استفاده شده است. لایه ی نازک اکسید سیلیسیم رسوب گذاری شده در دمای پایین به روش teos-pecvd متخلخل بوده و دارای ناخالص های کربنی و هیدروژنی است به طوری که برای بسیاری کاربردها اثر منفی بر روی خصوصیات لایه می گذارد از این رو تعداد زیادی تحقیق در رابطه با بررسی اثر متغیرهای مختلف فرآیند بر روی ترکیب و ساختار شیمیایی لایه های رسوب گذاری شده به روش pecvd انجام شده است. در حالی که تعداد اندکی منابع تحقیقاتی در رابطه با بررسی و مطالعه مکانیزم های فرآیند رسوب گذاری و ارتباط انها با متغیرهای فرایند به چاپ رسیده است بنابراین هدف این تحقیق بررسی اثر متغیرهای فرآیند teos-pecvd بر روی مشخصات لایه همراه با مطالعه و بررسی ارتباط آن ها با مکانیزم های فرآیند رسوب گذاری است. در این تحقیق از ترکیب گازی teos-o2-ar برای فرآیند رسوب گذاری استفاده شده است. متغیرهای که مورد بررسی قرار گرفته است عبارتند از نسبت فشار جزیی بخار teos به گاز اکسیژن درصد گاز آرگون، توان اعمالی و فشار کاری خواص لایه از قبیل ساختار بلوری، ترکیب و ساختار شیمیایی، زبری و توپوگرافی سطح، ضریب شکست لایه، سختی و میزان جذب و عبور uv_vis تحت آنالیز قرار گرفتند. همچنین از طیف سنجی گسیلی نوری برای آنالیز پلاسما استفاده شده است.