در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو برای کاهش ابعاد، مورد ملاحظه قرار داد. با این حال آثار کانال کوتاه به عنوان چالش قابل توجّهی برای جلوگیری از پیشرفت ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی سیلیکن بر روی عایق باقی مانده اند. بهبود عملکرد و کاهش اثرات کانال کوتاه به عنوان دو مسئله اساسی در توسعه ترانزیستورهای ماسفت سیلیکن بر روی عایق می باشند. زیرا کارایی زیاد و داشتن رفتاری شبیه به ترانزیستورهای با طول بلند نیاز اساسی برای ماسفت های با طول کوتاه سیلیکن بر روی عایق می باشد که با اعمال تنش به کانال این ساختارها می توان به مشخّصه های عملکرد بهتری دست یافت. مسئله ی موثّر در عملکرد ساختارهای تنشی میزان تنش اعمال شده می باشد که در یک ساختار ترانزیستور با کانال تنشی هرچه این تنش موثّرتر باشد بهبود موبیلیتی بیشتر خواهد بود. نحوه ی اعمال تنش در این پایان نامه با استفاده از یک لایه ی سیلیکن- ژرمانیوم زیرِ لایه ی سیلیکن کانال ترانزیستور می باشد که با تغییر درصد ژرمانیوم این زیرپایه، تنش حاصل در لایه ی سیلیکن بالایی متفاوت می باشد. آنچه این پایان نامه بر آن متمرکز شده بررسی تأثیرپذیری آثار کانال کوتاه شامل کاهش سد با ولتاژ درین و پاره ای از مشخّصه های دیگر ساختار تنشی در برابر ساختار بدون تنش، به نسبت ضخامت لایه ی سیلیکنی و زیرپایه ی سیلیکن- ژرمانیوم همزمان با تغییر دادن درصد ژرمانیوم زیرپایه می باشد. طبق بررسی-های صورت گرفته روند بهبودی در میزان کاهش سد با ولتاژ درین، شیب زیرآستانه، ولتاژ شکست و خصوصاً نسبت جریان روشن به خاموش مشاهده شد.