در چند دهه گذشته، به دلیل استفاده از مشددهای دی الکتریکِ سرامیکی صنایع مخابراتی بالاخص ارتباطات بی سیم دچار تغییرات اساسی شده است. مشددهای دی الکتریکی به عنوان رزوناتور،باید دارای ضریب دی الکتریک بالا به منظور تسهیل در کوچک تر کردن مدارات الکترونیکی، مقادیر فاکتور کیفیت بالا به منظور به گزینی فرکانسی آن ها و ضریب دمایی فرکانس رزونانس نزدیک به صفر به منظور پایداری فرکانس در برابر دماباشند.اخیرا بیشتر مطالعات بر روی ترکیبات با دمای تف جوشی پایین متمرکز گردیده است. از جمله این ترکیباتli2znti3o8میباشد. در این تحقیق بر اساس مشابهت اندازه یونی و ظرفیتcu+2باzn+2، اثر اکسید مس بر روی رفتار تشکیل فاز، تف جوشی و خواص دی الکتریکِ ترکیب مذکور مورد بررسی قرار گرفت.به این منظورنمونه هایی با ترکیب (1و15/0-0x=)li2zn1-xcuxti3o8 در محدوده دمایی °c1100-950 تف جوشی شدند و خواصی همچون تغییرات دانسیته، ساختار فازی و خواص دی الکتریک نمونه ها به ترتیب به کمک روش های ارشمیدسی، تفرق اشعه ایکس و تکنیک تشدید دی الکتریکی در حفره تشدید توسط دستگاه آنالیز شبکه ای مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان داد، افزایش درصد اکسید مس در ترکیب فوق، افزایش نسبی ثابت دی الکتریک و در عین حال افت فاکتور کیفیت را به همراه دارد.