دراین پایان نامه ابتدا انواع روش های مدل سازی خطای سیم پیچی داخلی در ترانسفورماتورها بررسی شده است و درادامه انواع خطا های داخلی سیم پیچی برروی یک ترانسفورماتور50کیلوولت آمپر با روش اجزای محدود و با دقت بالا مدل سازی شده است و تاثیر پارامترهای مختلف برروی ترانسفورماتور تحت این گونه خطا ها بررسی شده است. با ایجاد خطای داخلی برروی ترانسفورماتور شار نشتی در اطراف نواحی خطا افزایش یافته و از این شار جهت تحلیل برخط ترانسفورماتور استفاده کرد . برای بررسی نحوه ی تغییر شارهای نشتی از سرچ کویل های جهت اندازه گیری شار استفاده شده است. با توجه به نتایج به دست آمده مشخص است که با افزایش شار نشتی درترانسفورماتور تحت خطای سیم پیچی داخلی نیرو های الکترومغناطیسی درسیم پیچ های ترانسفورماتور افزایش یافته و این امر موجب ایجاد لرزش درسیم پیچ ها و تانک ترانسفورماتور می شود. برای تایید شبیه سازی های انجام شده، نتایج شبیه سازی با نتایج تست آزمایشگاهی برای یک ترانسفورماتور50 کیلوولت آمپرمقایسه شده و صحت شبیه سازی های انجام شده تایید شده است. همچنین برای بررسی لرزش ترانسفورماتور تحت خطای داخلی از یک سنسور اندازه گیرلرزش adxl330 استفاده شده است. نتایج به دست آمده، موثر بودن روش های پیشنهادی در این پایان نامه جهت تحلیل رفتار ترانسفورماتور تحت خطای سیم پیچی داخلی را نشان می دهد.