در این پایان نامه لایه نشانی sio2 روی ویفر سیلیکان با سه روش تبخیر پرتو الکترونی، بخار شیمیایی و اکسیداسیون گرمایی گزارش شده است. هدف از این لایه نشانی ایجاد یک لایه ی محافظ به منظور ساخت موجبر نوری از جنس نانوسیم های zno می باشد. موجبر تشکیل شده از نانوسیم های zno محیط مناسبی برای انتشار امواج نوری و ساخت نانولیزرهاست که در قطعه های گسیلنده نور و در مدارهای مجتمع نوری مورد استفاده قرار می گیرد. در لایه نشانی به روش تبخیر پرتو الکترونی و بخار شیمیایی از نانوذرات سیلیکا ( (sio2استفاده شد. طیف پراش اشعه x (xrd) از نمونه های لایه ی نازک sio2، ساخته شده به روش تبخیر پرتو الکترونی، وجود لایه ی دی اکسید سیلیکان بلوری را تأیید و تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) ضخامت لایه را برآورد کرد. لایه های تهیه شده به روش بخار شیمیایی آمورف بوده و آنالیزedx از لایه ها وجود عنصرهای سیلیکان، اکسیژن و کربن را تأیید کرد. لایه های نازک sio2 یکنواخت و با خلوص بالا، به روش اکسیداسیون گرمایی سیلیکان صیقلی و غیر صیقلی تهیه شد. طیف تبدیل فوریه مادون قرمز (ftir) تهیه شده از نمونه های ساخته شده به سه روش فوق الذکر وجود پیوند si-o در نمونه ها را تأیید کرد. با استفاده از طیف بازتاب نور در ناحیه ی انرژی ev 1.5-5، ضخامت لایه های نازک sio2 که به روش اکسیداسیون گرمایی نشانده شده بود، برآورد و گزارش شد. روش اندازه گیری بر اساس مقایسه طیف بازتاب تجربی لایه ی مورد نظر و طیف بازتاب همان لایه ناشی از تداخل چندپرتویی در انرژی های مختلف انجام شد. همچنین ثابت های اپتیکی زیرلایه های سیلیکان صیقلی و غیرصیقلی به روش کرامرز-کرونیگ محاسبه شد