کشف اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ (gmi) در فیلم‎ها و سیم‎های مغناطیسی نرم، افق جدیدی را در توسعه‎ی حسگرهای میکرومغناطیسی به فعالیت در آمده در محدوده‎ی نانو تسلا گشود. امپدانس مغناطیسی بزرگ یکی از نویدبخش‎ترین اثرات ترابرد مغناطیسی می‎باشد که بدلیل کاربردش درحسگرهای میدان مغناطیسی بسیار حساس، مهم است. اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ شامل تغییرات بزرگ در هر دو قسمت حقیقی و موهومی امپدانس، تحت اعمال میدان یکنواخت خارجی می‎باشد. حساسیت و خطی بودن برای میدان مغناطیسی، مهمترین پارامترها در کاربردهای عملی gmi برای حسگرهای مغناطیسی هستند. حسگرهای امپدانس مغناطیسی بزرگ، حساسیتی در حدود یک هزارم نانو تسلا دارند و سرعت پاسخ بالای این حسگرها (mhz 1) این نوع حسگرها را نسبت به دیگر حسگرهای میدان مغناطیسی متمایز می‎کند. اخیرأ توجهات زیادی به اثر نامتقارنی gmi شده است. امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن(agmi)، برای بهبود هرچه بیشتر حسگرهای به فعالیت در آمده برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت، بسیار مهم است. در این پایان‎نامه تأثیر پارامترهای بازپخت (جریان بازپخت و زمان بازپخت) بر روی نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ نوارهای آلیاژ آمورف co66.59fe3.98mo1.55si18.36b9.52 بررسی شده است. در اینجا از روش بازپخت جریانی در حضور هوا استفاده شد که موجب ایجاد نامتقارنی ناشی از بایاس تبادلی در نمونه می‎شود. بهترین نمونه بازپخت شده از لحاظ پاسخ gmi، نسبت به نمونه خام حدود 50 درصد افزایش داشت. این نمونه در جریان 500 میلی‎آمپر به مدت زمان 18 دقیقه بازپخت شده و اندازه‎گیری gmi مربوط به آن در فرکانس 6 مگاهرتز ودامنه جریان متناوب 12 میلی آمپر انجام شد.