در این تحقیق، هدف بهبود شیب زیرآستانه به مقادیر کمتر از mv/decade60و نسبت جریان روشن به جریان خاموش با مرتبه بالاتر از 5^10 می باشد. بدین منظور ابتدا روشهای مختلف بهبود عملکرد این افزاره را بررسی کرده و در نهایت روش مهندسی در گاف انرژی با مواد با باندگاپ قابل تنظیم به عنوان روش برتر معرفی می شود. پارامترهای طراحی ترانزیستور اثر میدان تونلی را با استفاده از شبکه عصبی بدست آمده است و ترانزیستورهای پیشنهادی که در دو ساختار همگون و ناهمگون می باشند با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده اند. در ترانزیستور همگون در ناحیه فعال از ماده های algaas و ingaas استفاده شده است و در ساختار ناهمگون از مادهalgaas در ناحیه سورس و از ماده ingaas در نواحی دیگر استفاده شده است و نتایج آن در مقایسه با ترانزیستورهای مرسوم و همچنین ترانزیستورهای تونلی مشابه قابل مقایسه می باشد.