با استفاده از تکنیک پرتو الکترونی در دمای اتاق 5 نمونه فیلم co/cu روی زیر لایه سیلیکون (si(lll)) در ضخامت های متفاوت رشد داده، و با تکنیک پراش سنجی اشعه x مشخصه یابی ساختاری آنها مورد بررسی قرار گرفت. با کمک فرمول شرر ضخامت مربوط به کریستال sio2 به اندازه 93nm بدست آمد این مقدار در محاسبات ضخامت کل همه نمونه ها در نظر گرفته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه x میزان رشد لایه ای و یا جزیره ای نمونه ها بررسی گردید. از روش تخمینی و استفاده از فرمول های مربوطه ضخامت هر کدام از فیلم های رشد داده شده را از پیکهای اسکن xrr محاسبه شد. جهت مطالعه ساختار مغناطیسی فیلم تکنیک vsm استفاده شد، که سه نمونه از فیلم ها که دارای ضخامت بیشینه بودند خاصیت فرو مغناطیسی از خود نشان دادند، منحنی پسماند مغناطیسی نمونه ها تفاوت واردارندگی مغناطیسی در دو حالت اعمال میدان به صورت عمود بر صفحه و در راستای صفحه نشان می دهد. بیشتر بودن وادارندگی مغناطیسی در حالت اعمال میدان در صفحه دال بر نازک بودن لایه ها می باشد. سپس میزان زبری دو نمونه با کمک میکروسکوپ نیروی اتمی afm بررسی شد که چند لایه ای با ضخامت کمتر میزان زبری کمتری از خود نشان داد.. از نمونه تک لایه مغناطیسی co(60nm)/cu(40nm) منحنی راکینگ کرفته شد نسبت مساحت قله به مساحت دامنه مقدار 0.42 بدست آمد. که نشان از زبری کم این نمونه است. در پایان تفاوت اسکن xrr از ماده بالک و لایه نازک بیان می شود.