انجام فرآیندهای تکرارپذیر توسط دستگاه های تحت پلاسمای rf یکی از مهم ترین نیازهای سازندگان تجهیزات میکروالکترونیک می باشد. بر مبنای این نیاز، دستگاهی طراحی و ساخته شد که با سرعت، دقت و انعطاف پذیری بالا عملیات تطبیق امپدانس مولد rf به محفظه ی پلاسما را انجام می دهد. برای این منظور مداری طراحی شد که امپدانس محفظه ی پلاسما را به دست می آورَد و در نتیجه به کمک آن می توان از «الگوریتم های تطبیق بر مبنای امپدا نس» به منظور تطبیق استفاده کرد. لازم است اشاره شود که با روش vswr امکان استفاده از الگوریتم های بهتر، محدود شده بود ولی با الگوریتم های تطبیق بر مبنای امپدانس محفظه، سرعت و انعطاف پذیری بیشتری به دست آمد. گرچه با داشتن امپدانس محفظه می توان از روش vswr نیز همچنان بهره برد. مدارهایی که در گذشته طراحی شده بودند، توانایی تطبیق تا توان 300 وات را داشتند و این کار هم، تنها با انجام تنظیمات دستی و تغییر در الگوریتم تطبیق مطابق با ویژگی های هر محفظه به طور مجزا قابل انجام بود. روش تطبیق هر سیستم می بایست توسط انجام یک سری آزمایش ها به دست می آمد و در الگوریتم تطبیق آن دستگاه اعمال می شد و حتی محدودیت ها و فرآیند هایی هم به کاربر اعلام می شد که می بایست کاربر برای انجام عمل تطبیق گام به گام آن روش را انجام می داد. با طراحی و پیاده سازی این مدار انعطاف پذیری تطبیق بسیار بهتر از قبل شد. عملیات تطبیق تا توان 600 وات در فرآیندهای مختلف پلاسمای rf و تحت شرایط مختلف فشار، به صورت خودکار صورت می پذیرد و امکاناتی به دستگاه اضافه گردید که کاربر به آسانی بتواند عملیات تطبیق را انجام دهد.