اکثر موارد کاربردی که در الکترونیک ارگانیک با آن روبرو هستیم، به یک حافظه غیر فرار نیاز دارد که بتوان آن را به صورت الکتریکی برنامه ریزی نمود، پاک کرد و خواند. حافظه های پلیمری، به عنوان محدوه ای ضروری در الکترونیک ارگانیک، در سال های اخیر از موضوعات فعال تحقیقاتی شده است، چراکه این ساختار احتمالا تکنولوژی جایگزین و مکمل تکنولوژی حافظه های معمول می باشد که با مشکلات فراوانی در حوزه کوچک سازی از ابعاد میکرو به نانو روبرو شده است. از میان ساختارهای متفاوت موجود برای حافظه های ارگانیک، حافظه هایی بر پایه ترانزیستورهای اثر میدان ارگانیک (ofet)، تکنولوژیی می باشد که پتانسیل محقق کردن وزن کم، هزینه پایین و محیطی انعطاف پذیر برای ذخیره بار را دارد. در این پروژه ما بر حافظه های غیر فرار ارگانیک با قابلیت برنامه ریزی مجدد متمرکز میشویم. به عنوان مقدمه ای بر بحث، انواع حافظه ها و ترانزیستورهای اثر میدان فروالکتریک غیر ارگانیک (fefet) معرفی شده اند. فصل های بعدی مروری کامل بر مواد ارگانیک، نانو لوله های ارگانیک و ترانزیستورهای اثر میدان ارگانیک (ofet) ارائه می دهد. در ادامه ما تاکید ویژه ای بر ترانزیستورهای اثر میدان فروالکتریک ارگانیک (ferrofet) خواهیم داشت. فرایند ساخت و پیش نیازهایی مانند مدارها و نرم افزاری که برای کنترل دستگاه های اندازه گیری نوشته شده است، مورد بحث قرار می گیرد. سرانجام ما نتایج حاصله را با هم مقایسه کرده، نتیجه گیری می کنیم و پیشنهادات مختلفی را برای کارهای آینده ارایه خواهیم داد.