در این تحقیق نانوفریت های مس cufe2o4 ، آلاییده با یون های روی و نیکل با فرمول های عمومی cu1-xmxfe2o4 که m نشان دهنده نیکل ( x= 0 ,0.5 ,1) و روی ( x = 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 ) می باشد ، به روش سل – ژل سنتز شدند. تحلیل الگوی پراش اشعه x نمونه ها نشانگر تشکیل ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m بود که ساختار و گروه قضایی فریت ها می باشد. پس از تأیید ساختار نمونه ها به کمک الگوی پراش ، قرص دی الکتریکی از هر یک از نمونه ها تهیه شده و بین صفحات یک خازن قرار داده شد و به کمک دستگاه lcrمتر ظرفیت این خازن و میزان اتلاف دی الکتریک اندازه گیری شد. رفتار قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک و همچنین امپدانس الکتریکی مدار و مدول الکتریکی آن با تغییرات فرکانس میدان اعمالی در مدار، نشان دهنده ساختار ناهمگن و لایه ای مشابه با ساختار پیشنهاد شده در مدل ماکسول- واگنر و نظریه بنیادی کوپ بود. در موادی که از این نظریه ها پیروی می کنند رفتار پراکندگی الکتریکی ماده در فرکانس های پایین تر اهمیت پیدا می کند. همچنین زمان واهلش مانند آنچه در نظریه دبای مطرح می شود یگانه نیست و توزیعی از زمان های واهلش در نمونه خواهیم داشت.