اکسیدروی یک ماده نیمرسانا با شکاف نواری پهن(e_g~3.22 ev) است که کاربردهای فراوانی در ساخت ابزارهای الکترونیکی، اپتوالکترونیکی و اسپینترونیکی دارد. با افزودن ناخالصی هایی مثل فلزات واسطه می توان به آن خواص مغناطیسی بخشید و قابلیت استفاده از آن را افزایش داد. در این پژوهش نانوذرات اکسیدروی آلاییده شده با مقادیر مختلف منگنز به طور موفقیت آمیزی با استفاده از روش همرسوبی تهیه شدند و توسطxrd و raman و sem و ft-irو uv-visمشخصه یابی شدند.الگوهایxrd آلاییدگی نمونه ها با mn را تایید نمود و نشان داد که با افزایش آلاییدگی ثابت های شبکه کاهش یافته اند. مشاهدات طیف نگاری رامان نتایج xrdرا تایید نمود و نشان داد که با افزایش آلاییدگی پیک های رامان پهن تر و ضعیف تر می شوند که بیانگر افزایش بی نظمی در ساختار اکسیدروی است.طیف نگاری ft-ir حضور آلاینده mnدر ساختار اکسیدروی را به خوبی نشان داد.طیف نگاری uv-vis نشان داد که با افزایش آلاییدگی شکاف انرژی از 24/3 به 48/3 الکترون ولت افزایش می یابد. در ادامه کار نانوذرات تحت فشارهای 472 و 629 و 789 مگاپاسکال قرار گرفتند و به نمونه های بالک تبدیل شدند. برای مطالعه اثر فشار، نمونه های بالک توسط xrd و sem و ramanبررسی شدند. الگوهایxrd نشان داد که اعمال فشار نتوانسته ساختار ورتزایت هگزاگونال نمونه ها را تغییر دهد ولی ثابت های شبکه را تغییر داده است. مشاهدات رامان وجود قله های تیزتری را نسبت به حالت نانوذره نشان داد، که ممکن است بیانگر نظم در ساختار نانوذرات اکسیدروی آلاییده شده با منگنز باشد. مشاهداتsemنیز نشان داد که شکل نمونه های بالک همچون نانوذره کروی است با این تفاوت که نمونه های بالک سطح منظم تر و یکنواخت تری دارند.