در این پایان نامه به بررسی ترابرد وابسته به اسپین نانوساختارهای مغناطیسی از قبیل نانوسیم های فرومغناطیس، پادفرومغناطیس و فری مغناطیس پرداخته می شود. محاسبات در رهیافت بستگی قوی و با استفاده از روش تابع گرین انجام می شود. نتایج مربوط به یک نانوسیم فرومغناطیس نشان می دهد که وجود نقص مغناطیسی و افزایش تعداد آن احتمال چرخش اسپین الکترون عبوری را افزایش و چگالی حالت های سامانه را کاهش می دهد. بررسی ترابرد الکترونی زنجیره های مغناطیسی مختلف متصل به هادی های فرومغناطیس نشان می دهد که در شرایط یکسان، رسانش زنجیره های متناوب کمتر از زنجیره ی فرومغناطیس است. افزایش میدان مغناطیسی اتم های سامانه ی مرکزی سبب کاهش ترابرد الکترونی آن می شود. به علاوه برای سامانه مرکزی فری مغناطیس، همسو بودن ممان های بزرگتر آن با ممان های هادی ها رسانش تونل زنی بهتری را برای سامانه در ناحیه ی گاف موجب می شود.