به دلیل مسائل و چالش هایی از جمله افزایش بازدهی ، کاهش قیمت ، ماندگاری و ذخیره انرژی که پیش روی منابع انرژی تجدید پذیر وجود دارد ، بررسی های بسیاری را متوجه خود کرده است. سلولهای چند بلور سیلیسیوم به دلیل روش ساخت ساده و ارزانتر بیشتر مورد توجه قرار گرفته اند. برای بالابردن هدایت نیمه هادی به سیلیکون خالص،ناخالصی وارد کردیم. پس از حل معادله پوواسون برای طرف سبک آلایش شده،فهمیدیم که برای پیوند از درجه خطی ، w_d پهنای ناحیه تهی به? (v_bi-n_d)?^(1/3) بستگی دارد،درحالیکه برای پیوند ناگهانی بستگی به ?(v_bi-n_d)?^(1/2) دارد. ناخالصی و نواقص ها ترازهای انرژی مجاز در گاف ممنوعه نیمه هادی را، بالا می برند.فرآیندهای باز ترکیب تابشی، مته ای و سطحی نقش بسیار مهمی در پارامتر ها و بازده دارند. v_ocیک سلول خورشیدی با انرژی شکاف آن افزایش می یابد.پارامترهای خارجی مهم سلول خورشیدیv_oc ،isc وff بودندکه تاثیر روی بازده دارند. افزایش انرژی شکاف، روی ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه سلول دو اثر متفاوت داشت. کمترین مقدار io و ازآنجا بیشترین مقدار v_oc وقتی اتفاق می افتاد که درهردو فرآیندسطحی سرعت باز ترکیب سطحی کم باشد. بیشترین مقدار عامل پرشدگی به v_oc بستگی دارد.افزایش دما بطور تقریبی یک کاهش خطی در مقدار v_oc بوجود می آورد وعامل پرشدگی را کاهش می دهد.افزایش دما، توان خروجی و بازده را کاهش می دهد.در ناحیه تخلیه ،حامل‏های تولید بیشترین احتمال رابرای حضور درجریان تشکیل شده دارند. طی مراحل برش ویفرها درتولید ماده نازک، ممکن است ویفرها بشکنند که این بازدهی تولید را کاهش میدهد.دیود را 90 درجه چرخاندیم و نور را از طرف n و یا p به سلول تانواریم که با این چرخشi به سطح بستگی پیدا می کرد نه به w. سطح مقطع پیوندسلول خورشیدی باید بزرگ باشد.wپهن منجربه کاهش ظرفیت پیوند میشود.تعداد انگشتی ها یک کمینه و یک ماکزیمم داشتندکه باید بهینه سازی کردو میزان این حد را مشخص کرد. اتصالات رویی به دلیل جریان افقی که در لایه بالایی نفوذ داده شده در سلول ایجاد می‏شد منجر به ایجاد توان تلفاتی می شدولی باعث جذب بیشتر نور تابیده می شوند.افزایش روشنایی باعث افزایش در توان خروجی می شد و با استفاده از چند لایه پوشش ضد انعکاس با مواد مختلف، ‏توانستیم بازدهی را بهبود بخشیم.روابط نشان ‏دادند که در حالتی که عرض مسیرهای عبور به صورت خطی تغییر‏کند توان تلفاتی حدود 13% کمتر از عرض ثابت است. برای افزایش کارایی سلول، باید میزان تراکم ناخالصی لایه نفوذ داده شده بالایی را کمتر از میزان قابلیت انحلال آن در نظر گرفت و تا حد ممکن عمق پیوند را کاهش داد.