لایه های نازک مالتی فروئیک به دلیل کاربرد در صنایع حافظه های تصادفی، حسگرها، عملگرها و در سیستم های نانو الکترومکانیکی توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده اند. نیاز روزافزون به ریزتر کردن تجهیزات الکترونیکی در دهه اخیر باعث تحقیقات وسیع در توسعه موادی شده است که خواص الکتریکی و مغناطیسی مشخص را توأمان دارا می باشند. در این راستا بیسموت فریت به دلیل دارا بودن هردو خاصیت و برتری قابل توجه نسبت به مواد مشابه مد نظر بسیاری از تحقیقات اخیر بوده است. همچنین این ماده باعث افزایش بازدهی سلول های فتوولتائیک که موضوع مورد توجه در مطالعات انرژی سالهای اخیر است، می گردد. در این مطالعه، نانوذرات بیسموت فریت را با استفاده از پیش ماده های بیسموت نیترات و آهن نیترات و همچنین روش ها و مواد فعال سطحی مختلف (شامل سل-ژل اصلاح شده (پچینی) با استفاده از اسیداستیک به عنوان عامل کی لیت ساز و dgme به عنوان پلی الکل، سل-ژل با استفاده از پلیمر چیتوسان، سل-ژل با استفاده از پلیمر پلی وینیل پیرولیدن (pvp)، سل-ژل با استفاده از پلیمر پلی اتیلن گلیکول (peg) و مایکروویو) تهیه گردید. پودرهای بیسموت فریت در دمای 600 درجه سانتیگراد کلسینه شدند که حاصل آن بدست آمدن ساختار رومبوهدرالی بیسموت فریت با ناخالصی های بسیار کم، از جمله bi2o3 و fe2o3 در روش های ذکر شده بود. بوسیله شستشوی نمونه تهیه شده پس از کلسیناسیون با نتیتریک اسید رقیق، فاز خالص بیسموت فریت در روش چیتوسان حاصل گردید. با استفاده های از آنالیز xrd و معادله دبای-شرر میانگین قطر متوسط نانوذرات کریستالی نمونه های سنتز شده در محدوده 56-39 نانومتر بدست آمدند. همچنین آنالیز های vsm انجام شده روی نمونه های تهیه شده از روش پچینی و مایکروویو در دمای اتاق، نشان داد که نانوذرات بیسموت فریت دارای خاصیت آنتی فرومغناطیس می باشند.