امروزه نانو فناوری جایگاه ویژهای در دنیای علم و زندگی روزمره انسان ها پیدا کرده است. یکی از زیباترین شاخه های نانو فناوری، نانوسیم ها هستند که فیزیک حاکم بر دنیای آنها توجه های تعداد زیادی از محققین و دانشمندان را به خود جلب کرده است. در مقایسه با سایر روش ها الکتروانباشت با استفاده از یک تمپلیت نانو متخلخل هم از نظر ارزانی و هم از نظر سادگی برتری های محسوسی داد. هدف این پروژه در مرحله اول ساخت تمپلیتهای متخلخل برای الکتروانباشت نانوسیم های مغناطیسی درون حفره های آن ها می باشد. برای تهیه تمپلیتها از آندی کردن دو مرحله ای آلومینیوم در اسید سولفوریک استفاده شد که بررسی ساختار آن ها با استفاده از sem ساختار منظم و تنگ پکیده ای از حفره هایی با قطر 25 نانومتر را نشان می دهد. برای سنتز نانوسیم2ها چندلایه و منفرد درون حفره های اکسید آلومینیوم از هر دو روش الکتروانباشت ac و dc استفاده شد. نانوسیم های conicu، co/cu، coni/cu، coni، co و fe با موفقیت سنتز شدند؛ که تصویر های sem ساختار پیوسته آن ها را نشان می دهد و ازالگوی xrd برای بررسی ساختار نانوسیم هااستفاده شد برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های الکتروانباشت شده از agfm استفاده شد