در این پایان نامه با ارائه ی یک فرمول بندی بر پایه ی روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی و با انجام محاسبات عددی به بررسی رسانش الکترونی یک زنجیره ی اتمی، لایه ی نازک و یک نانو بلور با ساختار مکعبی ساده در حضور تک ناخالصی الکتریکی و دو قطبی الکتریکی می پردازیم. سپس عواملی مانند قدرت و تغییر مکان ناخالصی، اثر جهت گیری دو قطبی الکتریکی را بر روی رسانش سامانه های مذکور مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می دهد که با تغییر مکان تک ناخالصی از مرکز به سمت سطح نانو بلور، ضریب عبور سامانه افزایش می یابد در حالی که تغییر مکان دو قطبی از مرکز به سمت سطح نانو بلور رسانش سامانه را کاهش می دهد. برای یک ساختار شبه یک بعدی مسطح در مجاورت یک بار نقطه ای و یا یک دو قطبی الکتریکی رسانش الکتریکی علاوه بر اندازه ی بار ناخالصی (ها) به فاصله ی آن ( ها) از سطح نیز وابسته است. به طوری که با افزایش مقدار بار (ها) و نیز نزدیک شدن بار (ها) به سطح ضریب عبور الکترونی کاهش می یابد.