نام پژوهشگر: رامین روجایی
رامین روجایی کیوان رییسی
در پژوهش حاضر تلاش بر آن است که با استفاده از پوششهای بیوسرامیکی فلوئورهیدروکسی آپاتیت با درصدهای متفاوت جایگزینی فلوئور روی زیرلایه آلیاژ پایه منیزیم 91 az به کمک فرایند سل- ژل و رسوب دهی الکتروفورتیک نرخ آزادسازی یونهای فلزی آلیاژ یادشده به ویژه منیزیم را به منظور کاربردهای اورتوپدی کنترل کرد. بدین منظور در مرحله نخست، پوشش نانوساختار هیدروکسی آپاتیت خالص روی نمونه های آلیاژ پایه منیزیم 91 az به روش سل-ژل اعمال شد. نمونه ها در این مرحله تحت دمای عملیات حرارتی 400 درجه سانتیگراد عملیات حرارتی شدند تا فرایند تکلیس (کلسینه کردن) آنها انجام گیرد. در گام دوم، عملیات سطحی آلیاژ پایه منیزیم 91 az با استفاده از روش آندایز (اکسیداسیون) پلاسمای جرقه ای انجام شد. پودرهای فلوئورهیدروکسی آپاتیت به روش سل-ژل ساخته شدند و در دمای 600 درجه سانتیگراد عملیات حرارتی گردیدند. این دما برای افزایش میزان بلورینگی ساختار پودرهای یادشده انتخاب گردید. پوششهای فلوئورهیدروکسی آپاتیت با درصدهای جایگزینی فلوئور 0%، 25%، و 60% در ساختار هیدروکسی آپاتیت خالص با استفاده از روش رسوب دهی الکتروفورتیک روی نمونه های آلیاژ پایه منیزیم 91 azاعمال شدند. نتایج نشان دادکه در بین پوششهای فلوئورهیدروکسی آپاتیت، روش سل-ژل تنها برای اعمال پوشش هیدروکسی آپاتیت خالص نانوساختار روی نمونه های آلیاژ پایه منیزیم 91 az قابل اجراست که البته زیست فعالی و مقاومت به خوردگی قابل ملاحظه ای را از خود نشان داد. همچنین با اعمال پوششهای فلوئورهیدروکسی آپاتیت با درصدهای فلوئور جایگزینی 0%، 25%، 60% فلوئور تئوری در ساختار هیدروکسی آپاتیت خالص بر روی آلیاژ پایه منیزیم 91az روش رسوب دهی الکتروفورتیک نیز نرخ تخریب منیزیم به طور چشمگیری کاهش یافته و در عین حال زیست فعالی خوبی نیز در سطح این نمونه ها مشاهده شد. اندازه گیری پتانسیل زتا/ هدایت الکتریکی محلول کلوییدی برای پوشش دهی به روش الکتروفورتیک نشان داد که با افزایش میزان فلوئور در ترکیب پوششهای فلوئورهیدروکسی آپاتیت از همگنی پوشش کاسته خواهد شد. نتایج آزمون بررسی نرخ تخریب و آزمون الکتروشیمیایی پلاریزاسیون تافل نشان داد که نمونه آلیاژ پایه منیزیم 91 az با پوشش 25% فلوئورهیدروکسی آپاتیت به روش رسوب دهی الکتروفورتیک کمترین نرخ تخریب و کمترین چگالی جریان خوردگی را در بین سایر نمونه ها داراست. این موضوع را می توان ناشی از نرخ انحلال کمتر پوششهای فلوئورهیدروکسی آپاتیت با افزایش میزان فلوئور در ساختار آن دانست.